Zobrazeno 1 - 10
of 59
pro vyhledávání: '"SINISI F"'
Autor:
Calvani, P., Corsaro, A., Girolami, M., Sinisi, F., Trucchi, D.M., Rossi, M.C., Conte, G., Carta, S., Giovine, E., Lavanga, S., Limiti, E., Ralchenko, V.
Publikováno v:
In Diamond & Related Materials 2009 18(5):786-788
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Salomoni Davide, Alkhansa Ahmad, Antonacci Marica, Belluomo Patrizia, Biasotto Massimo, Carbone Luca Giovanni, Cesini Daniele, Ciangottini Diego, Ciaschini Vincenzo, Costantini Alessandro, Doria Alessandra, Donvito Giacinto, Duma Doina Cristina, Fanzago Federica, Foggetti Nadina, Fornari Federico, Giorgio Emidio Maria, Italiano Alessandro, Malatesta Giada, Martelli Barbara, Michelotto Diego, Morganti Lucia, Gasparetto Jacopo, Peco Gianluca, Pellegrino Carmelo, Rendina Andrea, Sgaravatto Massimo, Sinisi Francesco, Spiga Daniele, Spinoso Vincenzo, Spisso Bernardino, Stalio Stefano, Strizzolo Lucio, Traldi Sergio, Verlato Marco, Vianello Enrico
Publikováno v:
EPJ Web of Conferences, Vol 295, p 10004 (2024)
INFN has been running a distributed infrastructure (the Tier-1 at Bologna-CNAF and 9 Tier-2 centres) for more than 20 years which currently offers about 150000 CPU cores and 120 PB of space both in tape and disk storage, serving more than 40 internat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fded6c24e51e4543847e2f9111cc3d07
Autor:
Sinisi Francesco, Alkhansa Ahmad, Costantini Alessandro, Duma Cristina, Fanzago Federica, Lattanzio Daniele, Pascolini Alessandro, Stalio Stefano, Giorgio Emidio, Pellegrino Carmelo, Salomoni Davide
Publikováno v:
EPJ Web of Conferences, Vol 295, p 08009 (2024)
Having a long tradition in state-of-the-art distributed IT technologies, in the last couple of years INFN made available to its users “INFN Cloud”: a cloud infrastructure and related services portfolio dedicated to the scientific communities supp
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/88d640295482430981e87546ea241f3c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Velasquez, Ochoa J., Farci, E., Cavani, F., Sinisi, F., Artiglia, L., Agnoli, S., Granozzi, G., Paganini, M. C., Malfatti, L.
Publikováno v:
ACS Applied Nano Materials; 6/28/2019, Vol. 2 Issue 6, p3434-3443, 10p
Autor:
Calvani P., Corsaro, A., Sinisi, F., Conte, G., Carta S., Giovine, E., Ciccognani, W., Limiti, E., CONTE, Gennaro, ROSSI, Maria Cristina
Submicron gate-length metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs) were fabricated on hydrogen-terminated-large grain polycrystalline diamond. Devices showed high drain-source current (140 mA/mm) and large transconductance values (50 ms/mm)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3668::f88c99cfc064f635a91c99fe8429a743
https://hdl.handle.net/11590/185412
https://hdl.handle.net/11590/185412
Autor:
Calvani P., Corsaro, A., Sinisi, F., Conte, G., Carta, S., Limiti, E., CONTE, Gennaro, ROSSI, Maria Cristina
Sub-micron gate length Metal Semiconductor Field Effect Transistors (MESFETs) have been realized on polycrystalline diamond samples supplied by Element Six Ltd. and by Russian Academy of Science. RF performances are shown for devices realized on poly
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ce8e4b02dba6d79f31e8df03a031d401
https://hdl.handle.net/11590/185441
https://hdl.handle.net/11590/185441