Zobrazeno 1 - 10 of 26 pro vyhledávání: '"SINIS, V. P."'
1
Vertical transport in InAs/AlSb superlattices
Autor: S.Kagan, M., Altukhov, I. V., Baranov, A. N., Il’inskaya, N. D., Paprotskiy, S. K., Sinis, V. P., Usikova, A. A.
Publikováno v: 18th Int. Symposyum “Nanostructures: Physics and Technology”
18th Int. Symposyum “Nanostructures: Physics and Technology”, 2010, St Petersburg, Russia
International audience
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::74d0a370de003e1eebbb6bd789ba1a96
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01831085
Zobrazit plný text záznamu
2
Conference
INTRA CENTER POPULATION INVERSION OF STRAIN-SPLIT ACCEPTOR LEVELS IN Ge.
Autor: ALTUKHOV, LV., CHIRKOVA, E. G., KAGAN, M. S., KOROLEV, K. A., SINIS, V. P., YASSIEVICH, I. N.
Publikováno v: Shallow-Level Centers in Semiconductors - Proceedings of the 7th International Conference; 1997, p411-416, 6p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
TRANSIENT CHARACTERISTICS OF SiGe/Si QW STRUCTURES AT THz LASING.
Autor: KAGAN, M. S., ALTUKHOV, I. V., PAPROTSKIY, S. K., SINIS, V. P., YASSIEVICH, I. N., KOLODZEY, J.
Publikováno v: International Journal of Nanoscience; Jun2007, Vol. 6 Issue 3/4, p279-282, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Carrier injection as a cause of THz lasing excitation in SiGe/Si QW structures.
Autor: Kagan, M. S., Altukhov, I. V., Sinis, V. P., Paprotskiy, S. K., Yassievich, I. N., Kolodzey, J.
Publikováno v: Physica Status Solidi (B); Jan2007, Vol. 244 Issue 1, p192-196, 5p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
THz lasing due to resonant acceptor states in strained p-Ge and SiGe quantum-well structures.
Autor: Kagan, M. S., Altukhov, I. V., Chirkova, E. G., Sinis, V. P., Troeger, R. T., Ray, S. K., Kolodzey, J.
Publikováno v: Physica Status Solidi (B); Feb2003, Vol. 235 Issue 2, p293-296, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
THz lasing of SiGe/Si quantum-well structures due to shallow acceptors.
Autor: Kagan, M. S., Altukhov, I. V., Chirkova, E. G., Sinis, V. P., Troeger, R. T., Ray, S. K., Kolodzey, J.
Publikováno v: Physica Status Solidi (B); Jan2003, Vol. 235 Issue 1, p135-138, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Resonant acceptor states and terahertz stimulated emission of uniaxially strained germanium.
Autor: Altukhov, I. V., Kagan, M. S., Korolev, K. A., Sinis, V. P., Chirkova, E. G., Odnoblyudov, M. A., Yassievich, I. N.
Publikováno v: Journal of Experimental & Theoretical Physics; Jan99, Vol. 88 Issue 1, p51, 7p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Lateral Transport in Strained SiGe Quantum Wells Doped with Boron.
Autor: Kagan, M. S., Altukhov, I. V., Korolev, K. A., Orlov, D. V., Sinis, V. P., Thomas, S. G., Wang, K. L., Yassievich, I. N.
Publikováno v: Physica Status Solidi (B); Jan1999, Vol. 211 Issue 1, p495-499, 5p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Far-Infrared Stimulated Emission in p-Ge under High Uniaxial Pressure.
Autor: Altukhov, I. V., Chirkova, E. G., Kagan, M. S., Korolev, K. A., Sinis, V. P., Yassievich, I. N.
Publikováno v: Physica Status Solidi (B); Nov1996, Vol. 198 Issue 1, p35-40, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Periodical
Spontaneous and stimulated emission of radiation from hot holes from uniaxially stressed germanium
Autor: Altukhov, I. V., Kagan, M. S., Sinis, V. P.
Publikováno v: Optical and Quantum Electronics; January 1991, Vol. 23 Issue: 2 pS211-S216, 6p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje