Zobrazeno 1 - 10
of 686
pro vyhledávání: '"SIMOX"'
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 8, Iss 2, Pp 1-9 (2016)
Separation by IMplantation of OXygen (SIMOX) 3-D sculpting is considered as a new method for 3-D strain engineering in buried silicon waveguides. A model capable of analyzing the stress distribution and strain gradient of buried silicon waveguides is
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/713dc85dc25c417f93cb4b3ade6e74f2
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 8, Iss 5, Pp 1-12 (2016)
Strain in silicon plays a significant role in exploring electro-optical material, boosting transistor performance, tuning birefringence of optical silicon waveguides, and so on. In this paper, we measured, for the first time, the nanoscale strain in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d19bb0af93ee4780b7422267cf97c4d5
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Telecommunications and Information Technology, Iss 1 (2004)
Mechanisms of the charge transfer, the charge trapping, and the generation of positive charge during the high-field electron injection into buried oxide of silicon-on-insulator structures fabricated by different technologies are analyzed based on the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/99b9c110f5fa472ea0fba2ad1919f7dc
Publikováno v:
Journal of Telecommunications and Information Technology, Iss 1 (2001)
The paper reviews the problems related to BOX high-temperature instability in SOI structures and MOSFETs. The methods of bias-temperature research applied to SOI structures and SOI MOSFETs are analysed and the results of combined electrical studies o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/11c7a9f538fe4c0fad97d0637c2c79b0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 8, Iss 5, Pp 1-12 (2016)
Strain in silicon plays a significant role in exploring electro-optical material, boosting transistor performance, tuning birefringence of optical silicon waveguides, and so on. In this paper, we measured, for the first time, the nanoscale strain in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4a4d958a278ab76873862e9466747cab
https://ieeexplore.ieee.org/document/7574350/
https://ieeexplore.ieee.org/document/7574350/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microelectronic Engineering 84(2007), 547-550
Modification of SiO"2 precipitate formation by defect engineering of SIMOX (separation by implanted oxygen) process was studied using cross section scanning spreading resistance microscopy (SSRM). Firstly, open volume defects, nanocavities, have been
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0b2215145e9596679946db9c41dcf37f
https://doi.org/10.1016/j.mee.2006.10.067
https://doi.org/10.1016/j.mee.2006.10.067