Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"SIGe transistors"'
Publikováno v:
Vìsnik Nacìonalʹnogo Tehnìčnogo Unìversitetu Ukraïni Kììvsʹkij Polìtehnìčnij Ìnstitut: Serìâ Radìotehnìka, Radìoaparatobuduvannâ, Iss 71 (2017)
The article considers the effect of 60Co gamma rays on the characteristics (the major ones for the analog ICs) of SiGe n-p-n transistors of SGB25V technology: the voltage across the forward-biased base-emitter junction, the dependence of the static b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/95bcb7ae5f024855ae2a1281569adbb4
Publikováno v:
Visnyk NTUU KPI Seriia-Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; 71; 40-45
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 71; 40-45
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 71; 40-45
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 71; 40-45
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 71; 40-45
The article considers the effect of 60Co gamma rays on the characteristics (the major ones for the analog ICs) of SiGe n-p-n transistors of SGB25V technology: the voltage across the forward-biased base-emitter junction, the dependence of the static b
Publikováno v:
Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, Вип. 71
Розглянуто вплив гамма-випромiнювання радiонуклiда 60Co на найбiльш важливi для аналогових мiкросхем характеристики SiGe n-p-n транзисторiв тех
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::0e7dd1327f487dfff554d03a736f0cbe
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/24325
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/24325
Autor:
Nikolai Beev, Mikko Kiviranta
Publikováno v:
Cryogenics
Beev, N & Kiviranta, M 2013, ' Fully differential cryogenic transistor amplifier ', Cryogenics, vol. 57, pp. 129-133 . https://doi.org/10.1016/j.cryogenics.2013.06.004
Beev, N & Kiviranta, M 2013, ' Fully differential cryogenic transistor amplifier ', Cryogenics, vol. 57, pp. 129-133 . https://doi.org/10.1016/j.cryogenics.2013.06.004
We have constructed a dc-coupled differential amplifier capable of operating in the 4.2 K–300 K temperature range. The amplifier can be operated at high-bias setting, where it dissipates 5 mW, has noise temperature TN ≈ 0.7 K at RS ≈ 5 kΩ and
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
An upgrade proposal for the LHCb RICH detectors at the Large Hadron Collider at CERN is being developed at the INFN section of Milano Bicocca, based on multi-anode photomultiplier tubes. The application requires the fast readout of Cherenkov rings of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::801fb53dec98451d37be180302e19fed
http://hdl.handle.net/10281/45956
http://hdl.handle.net/10281/45956
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.