Zobrazeno 1 - 10
of 627
pro vyhledávání: '"SIGe transistors"'
Autor:
Pershenkov, V.S., Bakerenkov, A.S., Felitsyn, V.A., Rodin, A.S., Telets, V.A., Belyakov, V.V.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability August 2016 63:56-59
Publikováno v:
Vìsnik Nacìonalʹnogo Tehnìčnogo Unìversitetu Ukraïni Kììvsʹkij Polìtehnìčnij Ìnstitut: Serìâ Radìotehnìka, Radìoaparatobuduvannâ, Iss 71 (2017)
The article considers the effect of 60Co gamma rays on the characteristics (the major ones for the analog ICs) of SiGe n-p-n transistors of SGB25V technology: the voltage across the forward-biased base-emitter junction, the dependence of the static b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/95bcb7ae5f024855ae2a1281569adbb4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Timoshenkov, V.1 valeri04@hotmail.com
Publikováno v:
Semiconductors. Dec2011, Vol. 45 Issue 13, p1661-1669. 9p.
Publikováno v:
Visnyk NTUU KPI Seriia - Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia. :40-45
Autor:
Tibor Grasser, Liesbeth Witters, W. Goes, A. Grill, B. Kaczer, Michael Waltl, J. Franco, Jerome Mitard, Gerhard Rzepa, Naoto Horiguchi
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 64:2092-2098
SiGe quantum-well pMOSFETs have recently been introduced for enhanced performance of transistors. Quite surprisingly, a significant reduction in negative bias temperature instability (NBTI) was also found in these devices. Furthermore, a stronger oxi
Autor:
Jerome Mitard, B. Kaczer, Naoto Horiguchi, Liesbeth Witters, A. Grill, Gerhard Rzepa, Tibor Grasser, Michael Waltl, J. Franco, W. Goes
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 64:2099-2105
The susceptibility of conventional silicon p-channel MOS transistors to negative bias temperature instabilities (NBTIs) is a serious threat to further device scaling. One possible solution to this problem is the use of a SiGe quantum-well channel. Th
Autor:
Gilson Wirth
Publikováno v:
Fifth Conference on Sensors, MEMS, and Electro-Optic Systems.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.