Zobrazeno 1 - 10
of 5 818
pro vyhledávání: '"SI2H6"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Paul, Dababrata, Sun, Bing-Jian, He, Chao, Yang, Zhenghai, Goettl, Shane J., Yang, Tao, Zhang, Bo-Yu, Chang, Agnes H. H., Kaiser, Ralf I.
Publikováno v:
Journal of Physical Chemistry A; 3/2/2023, Vol. 127 Issue 8, p1901-1908, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Szczȩśniak, R., Durajski, A. P.
Publikováno v:
J. Phys. Chem. Solids 74, 641-646 (2013)
The thermodynamic parameters of the superconducting state, that induces in ${\rm Si_{2}H_{6}}$ under the pressure at 275 GPa, have been calculated. In the framework of the Eliashberg formalism, it has been shown that the critical temperature can atta
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1210.1820
Autor:
Dababrata Paul, Bing-Jian Sun, Chao He, Zhenghai Yang, Shane J. Goettl, Tao Yang, Bo-Yu Zhang, Agnes H. H. Chang, Ralf I. Kaiser
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry A. 127:1901-1908
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::93c726026c78bb73b8770ed0be087293
https://doi.org/10.1021/acs.jpca.2c08417
https://doi.org/10.1021/acs.jpca.2c08417
Autor:
Wirths, S., Buca, D., Tiedemann, A.T., Bernardy, P., Holländer, B., Stoica, T., Mussler, G., Breuer, U., Mantl, S.
Publikováno v:
In Solid State Electronics May 2013 83:2-9
Autor:
Ho Jun Kim, Hwanyeol Park
Publikováno v:
Coatings, Vol 11, Iss 1041, p 1041 (2021)
Coatings
Volume 11
Issue 9
Coatings
Volume 11
Issue 9
The rapid and uniform growth of hydrogenated silicon (Si:H) films is essential for the manufacturing of future semiconductor devices
therefore, Si:H films are mainly deposited using SiH4-based plasmas. An increase in the pressure of the mixture
therefore, Si:H films are mainly deposited using SiH4-based plasmas. An increase in the pressure of the mixture
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c776a2b93107f055dfb317b5f4de306d
https://www.mdpi.com/2079-6412/11/9/1041
https://www.mdpi.com/2079-6412/11/9/1041
Autor:
Paul, Dababrata, Sun, Bing-Jian, He, Chao, Yang, Zhenghai, Goettl, Shane J., Yang, Tao, Zhang, Bo-Yu, Chang, Agnes H. H., Kaiser, Ralf I.
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry - Part A; March 2023, Vol. 127 Issue: 8 p1901-1908, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
European Physical Journal D (EPJ D). Dec2008, Vol. 48 Issue 3, p333-342. 10p. 4 Charts, 10 Graphs.