Dosimetria de altas doses de raios gama e el??trons com diodos de Si resistentes a danos de radia????o

Autor: Kelly Cristina da Silva Pascoalino

Publikováno v: Repositório Institucional do IPEN
Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN)
instacron:IPEN
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP

Neste trabalho foram avaliadas as principais características dosimétricas de diodos crescidos pelos métodos de Fusão Zonal (FZ) e Czochralski magnético (MCz), resistentes a danos de radiação, quando aplicados em dosimetria de processos de irra

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e3afd29d83cbc5809178d729fec41073
http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/10634

Multidétecteur 4$\pi$ INDRA Simulation de la géométrie et étude des détecteurs au silicium

Autor: Copinet, N.

Publikováno v: Instrumentations et Détecteurs [physics.ins-det]. Université de Caen, 1990. Français. ⟨NNT : ⟩

INDRA is a 4π detector of charged particles (p,d,t,α) and fragments (at least Z = 30) with an excellent space coverage (>80%). It consists of an assembly of 96 ionization chambers, 180 Silicon detectors (30 80%). Il est compose d'un assemblage de 9

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3515::b98dee8499b4f12d566076f972e2a70d
https://hal.in2p3.fr/in2p3-00011192/document

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.