Zobrazeno 1 - 10
of 71
pro vyhledávání: '"SHEPARD, K. L."'
Autor:
Dean, C. R., Wang, L., Maher, P., Forsythe, C., Ghahari, F., Gao, Y., Katoch, J., Ishigami, M., Moon, P., Koshino, M., Taniguchi, T., Watanabe, K., Shepard, K. L., Hone, J., Kim, P.
Electrons moving through a spatially periodic lattice potential develop a quantized energy spectrum consisting of discrete Bloch bands. In two dimensions, electrons moving through a magnetic field also develop a quantized energy spectrum, consisting
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1212.4783
High-frequency performance of graphene field-effect transistors (GFETs) with boron-nitride gate dielectrics is investigated. Devices show saturating IV characteristics and fmax values as high as 34 GHz at 600-nm channel length. Bias dependence of fT
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1112.2777
Publikováno v:
IEEE IEDM Tech. Dig., 556-559, 2010
Graphene field-effect transistors are fabricated utilizing single-crystal hexagonal boron nitride (h-BN), an insulating isomorph of graphene, as the gate dielectric. The devices exhibit mobility values exceeding 10,000 cm2/V-sec and current saturatio
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1101.4712
Autor:
Dean, C. R., Young, A. F., Cadden-Zimansky, P., Wang, L., Ren, H., Watanabe, K., Taniguchi, T., Kim, P., Hone, J., Shepard, K. L.
We report observation of the fractional quantum Hall effect (FQHE) in high mobility multi-terminal graphene devices, fabricated on a single crystal boron nitride substrate. We observe an unexpected hierarchy in the emergent FQHE states that may be ex
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1010.1179
Autor:
Dean, C. R., Young, A. F., Meric, I., Lee, C., Wang, L., Sorgenfrei, S., Watanabe, K., Taniguchi, T., Kim, P., Shepard, K. L., Hone, J.
Publikováno v:
Nature Nanotechnology 5, 722-726 (2010)
Graphene devices on standard SiO2 substrates are highly disordered, exhibiting characteristics far inferior to the expected intrinsic properties of graphene[1-12]. While suspending graphene above the substrate yields substantial improvement in device
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1005.4917
Autor:
Young, A. F., Dean, C. R., Meric, I., Sorgenfrei, S., Ren, H., Watanabe, K., Taniguchi, T., Hone, J., Shepard, K. L., Kim, P.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 85, 235458 (2012)
We report on a capacitance study of dual gated bilayer graphene. The measured capacitance allows us to probe the electronic compressibility as a function of carrier density, temperature, and applied perpendicular electrical displacement D. As a band
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1004.5556
Autor:
Wang, L., Meric, I., Huang, P. Y., Gao, Q., Gao, Y., Tran, H., Taniguchi, T., Watanabe, K., Campos, L. M., Muller, D. A., Guo, J., Kim, P., Hone, J., Shepard, K. L., Dean, C. R.
Publikováno v:
Science, 2013 Nov 01. 342(6158), 614-617.
Externí odkaz:
http://dx.doi.org/10.1126/science.1244358
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.