Zobrazeno 1 - 10
of 804
pro vyhledávání: '"SEMICONDUCTOR epitaxial layers"'
Autor:
Mohamad, Ranim, Chauvat, Marie Pierre, Kret, Slawomir, Gamarra, Piero, Delage, Sylvain, Hounkpati, Viwanou, Lacam, Cedric, Chen, Jun, Ruterana, Pierre
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 6/7/2019, Vol. 125 Issue 21, pN.PAG-N.PAG, 7p, 3 Diagrams, 1 Chart, 3 Graphs
Autor:
Natalia Vetrova, Evgeny Kuimov, Vladimir Sinyakin, Sergey Meshkov, Mstislav Makeev, Vasiliy Shashurin
Publikováno v:
Sensors, Vol 23, Iss 18, p 7977 (2023)
This paper presents an effective compact model of current transfer for the estimation of hysteresis parameters on the volt-ampere characteristics of resonant-tunneling diodes. In the framework of the compact model, the appearance of hysteresis is exp
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/798424bf804746988db4c925a210a031
Autor:
Nor Ammouri, Heike Christopher, Jörg Fricke, Arnim Ginolas, Armin Liero, Andre Maaßdorf, Hans Wenzel, Andrea Knigge
Publikováno v:
Electronics Letters, Vol 59, Iss 1, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract The improvement of the performance of a distributed Bragg reflector laser bar emitting near 905 nm through the use of multiple epitaxially stacked active regions and tunnel junctions is reported. The bar consisting of 48 emitters (each havin
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/15aa069cbd184fbc979c19cda819d3c7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Crystal Research & Technology. Sep2015, Vol. 50 Issue 9/10, p759-763. 5p.
Autor:
Lee, C.-M.1, Warring, H.1, Vézian, S.2, Damilano, B.2, Granville, S.3, Al Khalfioui, M.2,4, Cordier, Y.2, Trodahl, H. J.1, Ruck, B. J.1, Natali, F.1 franck.natali@vuw.ac.nz
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 1/12/2015, Vol. 106 Issue 2, p1-4. 4p. 4 Graphs.
Autor:
Brehm, Moritz1 m.brehm@ifw-dresden.de, Jianjun Zhang1,2 jjzhang@iphy.ac.cn, Grydlik, Martyna1,3 m.grydlik@ifw-dresden.de, Schmidt, Oliver G.1,3 o.schmidt@ifw-dresden.de
Publikováno v:
Chemical Society Reviews. 2015, Vol. 44 Issue 1, p26-39. 14p.