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1
Theoretical characterization of point defects in semiconductors : from photovoltaics to quantum engineering applications
Autor: Gupta, Sameer
Publikováno v: Material chemistry. Université Grenoble Alpes [2020-..], 2023. English. ⟨NNT : 2023GRALY030⟩
Point defects play an essential role in the technological applications of semiconductors, providing suitable doping conditions. At the same time, defects with carrier trap characteristics can prove to be detrimental to the performance and efficiencie
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3515::939b214ed2ca2a82fd8d93a410fecd93
https://theses.hal.science/tel-04166887/document
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2
Étude et conception d’antennes réseaux transmetteurs millimétriques à reconfiguration par voie optique
Autor: Cane, Romain
Publikováno v: Electronique. Université Rennes 1, 2022. Français. ⟨NNT : 2022REN1S071⟩
This PHD thesis focuses on the study and design of optically-reconfigurable transmitarray antennas. A transmitarray antenna consists of one or several focal sources illuminating a planar network composed of unit-cells whose transmission phase control
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2755::e7eff0e5b3d091c3b9672ecf1fc48c8b
https://theses.hal.science/tel-03969803
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3
Contrôle spatio-temporel de la génération d'harmoniques dans les semiconducteurs pour l'émission d'impulsions attosecondes
Autor: Fröhlich, Sven
Publikováno v: Optics [physics.optics]. Université Paris-Saclay, 2022. English. ⟨NNT : 2022UPASP110⟩
High harmonic generation in condensed media has been an emerging field since its first observation in 2011. The strong dependency of the harmonics on the crystal band structure and laser parameters make them an excellent observable of the fundamental
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::8dd044ce2a2f8b5c21b0b78aed8adcef
https://theses.hal.science/tel-03941540/file/101163_FROEHLICH_2022_archivage.pdf
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4
Etude de la relaxation de contraintes dans la dégradation spontanée des couches d'InAIN par les calculs atomistiques des interactions entre des défauts ponctuels
Autor: Ramdani, Rofka
Publikováno v: Physique [physics]. Normandie Université, 2022. Français. ⟨NNT : 2022NORMC235⟩
Among the III-V nitride alloys, InAlN has attracted great technological interest in recent years due to its wide band gap and lattice matching with GaN at 18% indium composition, with the application of better barrier for the next generation of high
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::7167a41f31cb0831e6aec1fc3273b2b1
https://theses.hal.science/tel-03865198/file/sygal_fusion_36550-ramdani-rofka_636fcdde1618b.pdf
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5
Corrélation de mesures électro-optiques en température dans les micro-structures LED à puits quantiques pour applications micro-écrans
Autor: Boussadi, Younes
Micro-displays, unlike traditional displays, are only a few milimeters in diagonal. They are generally equipped with a magnification system to project their image. In order to achieve an image quality equal to that of traditional displays, a certain
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______166::a0c73c6c94711b20685716b364afe7e8
https://theses.hal.science/tel-03709327
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6
Graphene / silicon heterostructure : from interface formation to electronic transport properties
Autor: Jules, Courtin
Publikováno v: Physique [physics]. Université Rennes 1, 2020. Français. ⟨NNT : 2020REN1S048⟩
The graphene / silicon interface is of interest to diverse fields such as photovoltaics, electronics and spin electronics to name a few. This thesis work, based on the combination of photoemission measurements, transport and DFT calculations, allows
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2755::704de221ac78b64da4b675d4b3e1a202
https://theses.hal.science/tel-03186706/document
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7
New perovskite material for medical radiography
Autor: Baussens, Oriane
Publikováno v: Electronique. Université de Bordeaux, 2021. Français. ⟨NNT : 2021BORD0221⟩
Using semiconductor materials instead of the scintillators currently used in medical radiography would allow increasing both the X-ray sensitivity and the spatial resolution of imagers. However, to date, no semiconductor material is compatible with t
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::76b41b2bd508a7548761de79418381ef
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03426154
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8
Propriétés optiques et électriques des matériaux bidimensionnels
Autor: Zhou, Ziqi
Publikováno v: Physics [physics]. Université de Lorraine; University of Chinese academy of sciences, 2021. English. ⟨NNT : 2021LORR0141⟩
Two-dimensional (2D) semiconductor materials exhibit overwhelming electrical, optical, magnetic, thermal and other advantages, which enables their great potential applications in ultra-thin, transparent and highly integrated optoelectronic devices. S
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2592::c576557258bc7f48c316090bd63c0ff0
https://hal.univ-lorraine.fr/tel-03417249
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9
Fonctionnement Classe A faible bruit d'un laser VECSEL injecté électriquement et émettant à 1,5 µm
Autor: Kerchaoui, Anwar, Mereuta, Alexandru, Caliman, Andrei, Bouhier, Steve, Batte, Thomas, Hamel, Cyril, Paranthoen, Cyril, Levallois, Christophe, Le Corre, Alain, Kapon, Eli, Alouini, Mehdi
Publikováno v: OPTIQUE Dijon 2021
OPTIQUE Dijon 2021, Jul 2021, Dijon, France
Journée du Club Optique et Micro-ondes (JCOM 2021)
Journée du Club Optique et Micro-ondes (JCOM 2021), Jun 2021, Paris, France
International audience; L'oscillation d'un laser VECSEL classe A faible bruit est obtenue pour la première fois à 1,5 µm en pompage électrique. La zone active à base de puits quantiques sur substrat InP est insérée dans une cavité externe de
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::dec0b2cd02df955e0d2a996e17033c86
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03386466/file/article-op21-AKerchaoui.pdf
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10
Caractérisation résolue spectralement du champ lointain de puces laser à semi-conducteur
Autor: Ehlert, Jannik F., Mugnier, Alain, Grillot, Frederic
Publikováno v: OPTIQUE
OPTIQUE, Jul 2021, Dijon, France
International audience; Nous proposons une adaptation de la méthode de mesure du champ lointain pour obtenir une caractérisation résolue spectralement notamment pour des diodes semi- conductrices en régime d’émission spontanée amplifie
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b65b00bdcbb7c3e568416959a8815261
https://hal-ip-paris.archives-ouvertes.fr/hal-03268945
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