Zobrazeno 1 - 10
of 41
pro vyhledávání: '"SCOPECE, DANIELE"'
Autor:
Gasparotto, Piero, Fischer, Maria, Scopece, Daniele, Liedke, Maciej Oskar, Butterling, Maik, Wagner, Andreas, Yildirim, Oguz, Trant, Mathis, Passerone, Daniele, Hug, Hans J., Pignedoli, Carlo Antonio
Machine learning is changing how we design and interpret experiments in materials science. In this work, we show how unsupervised learning, combined with ab initio modeling, improves our understanding of structural metastability in multicomponent all
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2009.13186
Autor:
Wang, Xing-Jun, Scopece, Daniele, Wang, Jun-Zhong, Fujikawa, Yasunori, Huang, Chun-Lai, Sakurai, Toshio, Chen, Gang
Publikováno v:
In Applied Surface Science 1 January 2019 463:713-720
Autor:
Zhang, Jianjun, Katsaros, Georgios, Montalenti, Francesco, Scopece, Daniele, Rezaev, Roman O., Mickel, Christine, Rellinghaus, Bernd, Miglio, Leo, De Franceschi, Silvano, Rastelli, Armando, Schmidt, Oliver G.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 109, 085502 (2012)
Self-assembled Ge wires with a height of only 3 unit cells and a length of up to 2 micrometers were grown on Si(001) by means of a catalyst-free method based on molecular beam epitaxy. The wires grow horizontally along either the [100] or the [010] d
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1208.0666
Publikováno v:
In Comptes rendus - Physique August-September 2013 14(7):542-552
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Scopece, Daniele, Thijsse, Barend J.
Publikováno v:
In Computational Materials Science 15 June 2015 104:143-146
Autor:
Gasparotto, Piero, Fischer, Maria, Scopece, Daniele, Liedke, Maciej O., Butterling, Maik, Wagner, Andreas, Yildirim, Oguz, Trant, Mathis, Passerone, Daniele, Hug, Hans J., Pignedoli, Carlo A.
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces; February 2021, Vol. 13 Issue: 4 p5762-5771, 10p
Autor:
Gagliano, L, Rossetto, L, Mondiali, V, Lodari, M, Bollani, M, Chrastina, D, SCOPECE, DANIELE, BARGET, MICHAEL REINER, DE CESARI, SEBASTIANO, PEZZOLI, FABIO, MONTALENTI, FRANCESCO CIMBRO MATTIA, BONERA, EMILIANO
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1299::bf9ad0fcc909ba8adf9a4544b733a83b
http://hdl.handle.net/10281/132577
http://hdl.handle.net/10281/132577
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
SCOPECE, DANIELE
Deposition of Ge upon Si substrates is the prototype of the mechanism called Stranski- Krastanov growth, i.e. the self-assembled formation of 3D islands, following the formation of a thin, 2D Wetting Layer. As is shown in Chapter 1, the nucleation of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1299::2205c1ed413a4a900100686b43756777
http://hdl.handle.net/10281/28452
http://hdl.handle.net/10281/28452