Zobrazeno 1 - 10
of 355
pro vyhledávání: '"SCHMIDT, W. G."'
Autor:
Murzakhanov, F. F., Sadovnikova, M. A., Mamin, G. V., Nagalyuk, S. S., von Bardeleben, H. J., Schmidt, W. G., Biktagirov, T., Gerstmann, U., Soltamov, V. A.
The nitrogen-vacancy (NV) centers (NCVSi) - in 4H silicon carbide (SiC) constitute an ensemble of spin S = 1 solid state qubits interacting with the surrounding 14N and 29Si nuclei. As quantum applications based on a polarization transfer from the el
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.06933
Autor:
Möser, J., Popli, H., Tennahewa, T. H., Biktagirov, T., Behrends, J., Akhtar, W., Malissa, H., Boehme, C., Schmidt, W. G., Gerstmann, U., Lips, K.
Paramagnetic point defects in silicon provide qubits that could open up pathways towards silicon-technology based, low-cost, room-temperature (RT) quantum sensing. The silicon dangling bond (db) is a natural candidate, given its sub-nanometer localiz
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.16523
Autor:
Nicholson, C. W., Puppin, M., Lücke, A., Gerstmann, U., Krenz, M., Schmidt, W. G., Rettig, L., Ernstorfer, R., Wolf, M.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 99, 155107 (2019)
We investigate the excited state electronic structure of the model phase transition system In/Si(111) using femtosecond time- and angle-resolved photoemission spectroscopy (trARPES) with an XUV laser source at 500 kHz . Excited state band mapping is
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.11385
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Murzakhanov, F. F., Sadovnikova, M. A., Mamin, G. V., Nagalyuk, S. S., von Bardeleben, H. J., Schmidt, W. G., Biktagirov, T., Gerstmann, U., Soltamov, V. A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 9/28/2023, Vol. 134 Issue 12, p1-8, 8p
While impurity has been known widely to affect phase transitions, the atomistic mechanisms have rarely been disclosed. We directly show in atomic scale how impurity atoms induces the condensation of a representative electronic phase, charge density w
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1411.0343
Autor:
Nicholson, C. W., Lücke, A., Schmidt, W. G., Puppin, M., Rettig, L., Ernstorfer, R., Wolf, M.
Publikováno v:
Science, 2018 Nov . 362(6416), 821-825.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26569333
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.