Zobrazeno 1 - 10
of 393
pro vyhledávání: '"SAITO, Tatsuya"'
Autor:
Ueno, Yuji, Morishima, Yuto, Hata, Takanori, Shindo, Atsuhiko, Murata, Hiroaki, Saito, Tatsuya, Nakamura, Yuki, Shindo, Kazumasa
Publikováno v:
In Neurobiology of Disease 1 October 2024 200
Autor:
Nishii, Tatsuya, Kobayashi, Takuma, Saito, Tatsuya, Kotoku, Akiyuki, Ohta, Yasutoshi, Kitahara, Satoshi, Umehara, Kensuke, Ota, Junko, Horinouchi, Hiroki, Morita, Yoshiaki, Noguchi, Teruo, Ishida, Takayuki, Fukuda, Tetsuya
Publikováno v:
In Academic Radiology November 2023 30(11):2505-2513
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Leukemia Research July 2020 94
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering A 29 April 2019 754:258-264
Publikováno v:
J. Appl. Phys. 111, 084314 (2012)
The gate-voltage (VG) dependence of the contact resistance (RC) in graphene field-effect transistors is characterized by the transmission line model. The RC-VG characteristics of Ag, Cu, and Au contacts display a dip around the charge neutrality poin
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1204.4315
Publikováno v:
Appl. Phys. Express 4 (2011) 035101
A method for determining the type of charge carrier, electron or hole, which is transferred from metal contacts to graphene, is described. The Dirac point is found to shift toward more negative (positive) gate voltages for electron (hole) doping by s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1102.2954