Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"S.X. Bar"'
Autor:
S.X. Bar, A. Kurdoghlian, W. Yau, Z. Bardai, M. Gawronski, C.S. Wu, H. Kanber, C. Pao, C. Seashore, M. Hu, D. Bosch
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 43:257-266
We have demonstrated very good performance, high yield Ka-band multifunctional MMIC results using our recently developed 0.25-/spl mu/m gate length pseudomorphic HEMT (PHEMT) manufacturing technology. Four types of MMIC transceiver components-low noi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0858ce08ab6d4bfc0a4ea4b01f621334
https://doi.org/10.1109/22.348082
https://doi.org/10.1109/22.348082
Publikováno v:
15th Annual GaAs IC Symposium.
The authors present an approach to establishing PHEMT manufacturing technology. They discuss the impact of development work in four key process areas. They also demonstrate good wafer uniformity and wafer to wafer reproducibility for PHEMT X-band mul
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c4003b84944a5d1584a42a570ce72677
https://doi.org/10.1109/gaas.1993.394476
https://doi.org/10.1109/gaas.1993.394476
Autor:
H. Kanber, B.M. Paine, S. Janesch, C.S. Wu, S.X. Bar, D. Kaputa, W. Yau, W. Fabian, Z. Bardai
Publikováno v:
1994 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.94CH3389-4).
Design translation is demonstrated at X-Band utilizing a multifunction MMIC as a test vehicle. The MMIC circuit consisting of a switch, LNA and attenuator is fabricated using PHEMT materials at two different GaAs foundries (Hughes and Martin Marietta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::94271956a1f33817191ec66ebb81bfd3
https://doi.org/10.1109/mwsym.1994.335549
https://doi.org/10.1109/mwsym.1994.335549
Publikováno v:
MRS Proceedings. 300
Pseudomorphic HEMT (PHEMT) devices have demonstrated superior performance at microwave and millimeter wave frequency ranges. They exhibit multi-functional characteristics such as high power, high efficiency and low noise over a broad frequency range
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a62254a28738421e5743eeabe9aad881
https://doi.org/10.1557/proc-300-41
https://doi.org/10.1557/proc-300-41
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.