Zobrazeno 1 - 10
of 412
pro vyhledávání: '"S.T. Chang"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shuting (S.T.) Chang
Publikováno v:
Asian Journal of Complementary and Alternative Medicine. 10
Autor:
Y.H. Chou, J.Y. Hsia, M.F. Wu, H.C. Huang, H.C. Tseng, G.Z. Wang, S.T. Chang, Y.C. Lee, W.C. Shen
Publikováno v:
International Journal of Radiation Oncology*Biology*Physics. 114:e158
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K.-T. Chen, C.-Y. Liao, R.-C. Hong, S.-S. Gu, Y.-C. Chou, Z.-Y. Wang, S.-Y. Chen, G.-Y. Siang, H.-Y. Chen, C. Lo, P.-G. Chen, Y.-J. Lee, M.-H. Liao, K.-S. Li, S.T. Chang, M.-H. Lee
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C.C. Su, J. K. Mei, C.W. Shih, S.N. Hsiao, C. C. Chen, F.T. Yuan, S.T. Chang, M.C. Lin, C. Y. Shen, H.W. Chang, W.C. Chang, C. R. Wang
Publikováno v:
Journal of Magnetism and Magnetic Materials. :153-158
FePt(20 nm) and FePt(20 nm)/Hf(10 nm) thin films prepared on the glass substrates by sputtering and post annealing are studied. For both samples, the as deposited films are disordered and L1 0 -ordering is triggered by a 400 °C-annealing. At T a ≥