Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"S.R. Weinzierl"'
Autor:
S.R. Weinzierl, J.P. Krusius
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 39:1050-1055
The high-speed operation of submicrometer Al/sub x/Ga/sub 1-x/As/GaAs unipolar heterojunction transistors is examined using two-dimensional time-dependent self-consistent ensemble Monte Carlo simulation. Careful device design can significantly increa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c4d62dde41db8dccb27d8dc8a989dc15
https://doi.org/10.1109/16.129081
https://doi.org/10.1109/16.129081
Autor:
S.R. Weinzierl, J.P. Krusius
Publikováno v:
Proceedings., IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits.
Extensive Monte Carlo simulations of both steady-state and transient operation of a heterojunction vertical field-effect transistor (VFET) show that the discrepancy between measured and predicted cutoff frequencies for the device has two causes. Firs
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d9ceeed077e306e7b5758c6eb5c417cb
https://doi.org/10.1109/cornel.1989.79840
https://doi.org/10.1109/cornel.1989.79840
Publikováno v:
Proceedings of 11th International Conference on Ion Implantation Technology.
Variations in V/sub T/-adjust implant dose from the center to edge of 200 mm wafers are investigated for both furnace and rapid thermal anneals using highly accurate in-line Hg-probe pulsed C-V measurements. Solid-state diffusion theory is used to ve
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b9b8e41cf0751be366afeceed89f9085
https://doi.org/10.1109/iit.1996.586192
https://doi.org/10.1109/iit.1996.586192
Autor:
J.P. Krusius, S.R. Weinzierl
Publikováno v:
[1991] Proceedings IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits.
Using a two-dimensional self-consistent ensemble Monte Carlo method, the effectiveness of the abrupt heterojunction, planar doped barrier, and doped homojunction as hot electron cathodes in realistic high speed semiconductor device structures is inve
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d5d62b97d347f5c3e01e7b8b3d259ffe
https://doi.org/10.1109/cornel.1991.170005
https://doi.org/10.1109/cornel.1991.170005
Autor:
J.P. Krusius, S.R. Weinzierl
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 39:1780-1782
Conditions under which ballistic injection across heterojunctions is suppressed in unipolar FET devices have been examined using two-dimensional Monte Carlo simulation. Gate-induced lateral space charges influence via macroscopic current continuity t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::12a77962ebc487ca931c9ee87cc3499d
https://doi.org/10.1109/16.141252
https://doi.org/10.1109/16.141252
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.