Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"S.R. Stiffler"'
Autor:
Arturo Cifuentes, S.R. Stiffler
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 40:557-563
Local stress fields associated with deep trench structures are modeled in three dimensions utilizing a finite-element method. A model consisting of a SiO/sub 2/-filled deep trench residing in a silicon substrate is utilized, and stress is generated b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0bf2e01c298e81ba753f0ce75250b11d
https://doi.org/10.1109/16.199360
https://doi.org/10.1109/16.199360
Autor:
Arturo Cifuentes, S.R. Stiffler
Publikováno v:
Journal of Electronic Packaging. 114:397-402
Periodic structures, that is, structures that consist of a basic pattern which is repeated multiple times, are commonplace in the electronics industry. This paper is concerned with the determination of thermal stresses in such structures. Specificall
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2481b35636312e75d83477b92153234c
https://doi.org/10.1115/1.2905471
https://doi.org/10.1115/1.2905471
Publikováno v:
Acta Metallurgica et Materialia. 40:1617-1622
Studies of the temperature dependence of interfacial reaction kinetics have recently been made in experiments on crystal nucleation and growth in undercooled liquid Si, allowing estimation of the apparent activation energy over a fairly wide range in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6558d065480722549b66c7741d6a7c6a
https://doi.org/10.1016/0956-7151(92)90103-l
https://doi.org/10.1016/0956-7151(92)90103-l
Autor:
S.R. Stiffler, P.V. Evans
Publikováno v:
Acta Metallurgica et Materialia. 39:2727-2731
Observations of liquid supercooling achieved prior to solidification of rapidly quenched Si thin films as a function of quench rate are examined in terms of a numerical model for transient nucleation, which allows estimation of the kinetics for the t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5d3bb82703011eacc940d033564f6659
https://doi.org/10.1016/0956-7151(91)90089-j
https://doi.org/10.1016/0956-7151(91)90089-j
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 37:1253-1287
Structures containing deep-trenched storage capacitors and shallow-trench isolation were examined in patterns suitable for future generation dynamic RAMs (DRAMs). These same effects were also examined in similar structures which included only the sha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b1def759da1f57bae8208b61ec1cc71b
https://doi.org/10.1109/16.108186
https://doi.org/10.1109/16.108186
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.