Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"S.P. Westwater"'
Autor:
S.P. Westwater, Tim J. Bullough
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 170:752-756
Heavily C-doped GaAs epilayers with [C] up to 5 × 10 20 cm −3 were grown by chemical beam epitaxy (CBE) using CBr 4 as the dopant source. The C dopant was found to have almost 100% activation for all [C]. Annealing of the layers with [C] > 5 × 10
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eab7efab3f41abe35ffba861af376abe
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(96)00510-6
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(96)00510-6
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 164:371-376
Heavily carbon-doped GaAs, AlGaAs and InGaAs were grown by chemical beam epitaxy using CBr 4 as the extrinsic dopant source. SIMS-derived C concentrations of up to 10 21 cm -3 were achieved for GaAs. Comparison of SIMS, Hall and CV data showed 100% a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::45c15aa77765b7341b895a1e5bf37dc8
https://doi.org/10.1016/0022-0248(96)00019-x
https://doi.org/10.1016/0022-0248(96)00019-x
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 146:394-398
We report the in-situ optical monitoring of the growth of heavily carbon doped GaAs by chemical beam epitaxy (CBE). Acceptor levels of 6 × 10 20 cm −3 have been achieved using CBr 4 as a dopant source. Oscillations in the reflectance of the growin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1ecd8346ab3f784222f4b26c3d16ac83
https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)00493-5
https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)00493-5
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 70:60-62
The relaxation of heavily carbon doped GaAs, grown on (001) GaAs substrates was investigated using transmission electron microscopy and x-ray diffraction. Misfit dislocation introduction occurred only significantly above Matthews and Blakeslee’s cr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a449a21a30b08e5e365b643a6102e29b
https://doi.org/10.1063/1.119306
https://doi.org/10.1063/1.119306
Autor:
Christopher D. Latham, S.P. Westwater, B. R. Davidson, R.C. Newman, Sven Öberg, R. Jones, J. Wagner, Tim J. Bullough, T.B. Joyce
Formation of bonded dicarbon C-C centers is deduced from the observation of Raman lines at 1742, 1708, and 1674 cm -1 in GaAs codoped with 12C and 13C after annealing at 850 °C with concomitant loss of vibrational scattering from CAs. The frequencie
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c0ce54845d238e482a628fc24d516eed
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:ltu:diva-6783
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:ltu:diva-6783
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.