Zobrazeno 1 - 10
of 156
pro vyhledávání: '"S.P. Svensson"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
B. Golja, N.E. Byer, S.W. Duncan, Sander Weinreb, S.P. Svensson, Abdollah Eskandarian, B.C. Kane, D.-W. Tu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 42:2590-2597
Five versions of monolithic W-band 0.1 /spl mu/m AlGaAs-InGaAs-GaAs pseudomorphic HEMT, four-stage, low noise amplifiers based on two different designs were developed. These millimeter wave monolithic integrated circuits have produced a minimum noise
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf2255b1e94355847ff85d3b93d61168
https://doi.org/10.1109/22.339801
https://doi.org/10.1109/22.339801
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
P.O. Nilsson, S.P. Svensson
Publikováno v:
Solid State Communications. 79:191-195
The L2,3VV Auger spectrum of InP(110) has been measured using synchrotron radiation excitation. In a first step a one-body theory was applied for analysis, involving convolutions of partial, local density of states functions obtained from a band calc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::049f15ab30e18176e6c186e67c772bd0
https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90087-c
https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90087-c
Autor:
S.W. Duncan, S.E. Brown, E. Fischer, Abdollah Eskandarian, N.E. Byer, W.P. Berk, B. Golja, S.P. Svensson, B.C. Kane, D.-W. Tu, D.M. Gill, S. Weinreb
Publikováno v:
Proceedings of 1994 IEEE Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium.
Two monolithic W-band four-stage LNA's based on 0.1 /spl mu/m AlGaAs-InGaAs-GaAs p-HEMT technology were developed. One with integral waveguide coupling probes has achieved a noise figure of 4.0 dB with a gain of 30.8 dB at 94 GHz; the other has a gai
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::156dd1b4c90173661e9a6aca1356a9b2
https://doi.org/10.1109/mcs.1994.332149
https://doi.org/10.1109/mcs.1994.332149
Autor:
S.W. Duncan, M. Zimmerman, S. Weinreb, Abdollah Eskandarian, N.E. Byer, S.P. Svensson, D.M. Gill, B. Golja, B. Power, D.-W. Tu
Publikováno v:
Proceedings of 1994 IEEE Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium.
A monolithic, three-stage W-band power amplifier, developed using pseudomorphic HEMTs, has exhibited record gain, power per unit gate width, and power per unit area. The amplifier has a small signal gain of 22-dB and an output power of 37-mW with an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1aa61689427caa04e820f1fca3402975
https://doi.org/10.1109/mcs.1994.332148
https://doi.org/10.1109/mcs.1994.332148
Autor:
S.P. Svensson, B. Golja, S.B. Southwick, D.C. Martel, S.W. Duncan, Abdollah Eskandarian, B. Power, M.W. Trippe, D.-W. Tu, S. Weinreb, G. Mendenilla, N.E. Byer, H.B. Sequeira
Publikováno v:
IEEE 1991 Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium. Digest of Papers.
Monolithic W-band amplifiers and a novel W-band mixer fabricated using a 0.1 mu m pseudomorphic MODFET technology are presented. Single-stage W-band amplifiers delivered 8.5-dB gain; four-stage units showed 23-dB maximum gain or 4.5-dB noise figure,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::39d09143c9bc3c8b8897ef86fabbb1d7
https://doi.org/10.1109/mcs.1991.148086
https://doi.org/10.1109/mcs.1991.148086
Autor:
Abdollah Eskandarian, N.E. Byer, B. Golja, D.-W. Tu, S. Weinreb, S.P. Svensson, D.C. Martel, S.B. Southwick, M.W. Trippe, H.B. Sequeira, S.W. Duncan
Publikováno v:
12th Annual Symposium on Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC).
A unique realization of a single-stage monolithic GaAs W-band amplifier based on InGaAs-AlGaAs pseudomorphic (PM) MODFET devices is reported. This work reflects a number of significant accomplishments: (1) superior control of MBE to grow the PM layer
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f39dcac6264402ebaba747c41ae13f26
https://doi.org/10.1109/gaas.1990.175476
https://doi.org/10.1109/gaas.1990.175476