Zobrazeno 1 - 10
of 249
pro vyhledávání: '"S.P. Svensson"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Xia, Wen1,2,3 (AUTHOR), Wu, Jinhui1,2,3 (AUTHOR) wuj@nju.edu.cn
Publikováno v:
Microbial Biotechnology. Oct2024, Vol. 17 Issue 10, p1-7. 7p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
B. Golja, N.E. Byer, S.W. Duncan, Sander Weinreb, S.P. Svensson, Abdollah Eskandarian, B.C. Kane, D.-W. Tu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 42:2590-2597
Five versions of monolithic W-band 0.1 /spl mu/m AlGaAs-InGaAs-GaAs pseudomorphic HEMT, four-stage, low noise amplifiers based on two different designs were developed. These millimeter wave monolithic integrated circuits have produced a minimum noise
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
P.O. Nilsson, S.P. Svensson
Publikováno v:
Solid State Communications. 79:191-195
The L2,3VV Auger spectrum of InP(110) has been measured using synchrotron radiation excitation. In a first step a one-body theory was applied for analysis, involving convolutions of partial, local density of states functions obtained from a band calc
Autor:
S.W. Duncan, S.E. Brown, E. Fischer, Abdollah Eskandarian, N.E. Byer, W.P. Berk, B. Golja, S.P. Svensson, B.C. Kane, D.-W. Tu, D.M. Gill, S. Weinreb
Publikováno v:
Proceedings of 1994 IEEE Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium.
Two monolithic W-band four-stage LNA's based on 0.1 /spl mu/m AlGaAs-InGaAs-GaAs p-HEMT technology were developed. One with integral waveguide coupling probes has achieved a noise figure of 4.0 dB with a gain of 30.8 dB at 94 GHz; the other has a gai
Autor:
S.W. Duncan, M. Zimmerman, S. Weinreb, Abdollah Eskandarian, N.E. Byer, S.P. Svensson, D.M. Gill, B. Golja, B. Power, D.-W. Tu
Publikováno v:
Proceedings of 1994 IEEE Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium.
A monolithic, three-stage W-band power amplifier, developed using pseudomorphic HEMTs, has exhibited record gain, power per unit gate width, and power per unit area. The amplifier has a small signal gain of 22-dB and an output power of 37-mW with an
Autor:
S.P. Svensson, B. Golja, S.B. Southwick, D.C. Martel, S.W. Duncan, Abdollah Eskandarian, B. Power, M.W. Trippe, D.-W. Tu, S. Weinreb, G. Mendenilla, N.E. Byer, H.B. Sequeira
Publikováno v:
IEEE 1991 Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium. Digest of Papers.
Monolithic W-band amplifiers and a novel W-band mixer fabricated using a 0.1 mu m pseudomorphic MODFET technology are presented. Single-stage W-band amplifiers delivered 8.5-dB gain; four-stage units showed 23-dB maximum gain or 4.5-dB noise figure,