Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"S.P. Sapp"'
Autor:
Chenming Hu, D. Giandomenico, K.A. Sassaman, R. Bregar, Jeong Yeol Choi, Di-Son Kuo, S.P. Sapp
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 6:211-214
Since the turn-off speed of the new bipolar-MOS power transistor is slow compared to that of a MOSFET, it is important to understand the limiting mechanism and the prospect for future improvement. In this letter, it is demonstrated that the turnoff w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9ef14f260106877d9d38b5ef1222b13d
https://doi.org/10.1109/edl.1985.26101
https://doi.org/10.1109/edl.1985.26101
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 7:672-673
A novel technique of making electrical contact to the p diffusions of a DMOS power transistor by over-sintering the aluminum/ silicon contact is reported. The potential advantages are the elimination of a critical masking step and smaller cell size.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f3d2b82847419c76837c5fdc67f9f96e
https://doi.org/10.1109/edl.1986.26515
https://doi.org/10.1109/edl.1986.26515
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.