Zobrazeno 1 - 10
of 244
pro vyhledávání: '"S.P. Karna"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
H.A. Kurtz, S.P. Karna
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 46:1574-1577
A model for proton mobility in a-SiO/sub 2/ is developed. Theoretical first-principles calculations are performed to test this model by obtaining pathways and activation energies for proton motion.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bec91c94cfac8efaad1386a08d512388
https://doi.org/10.1109/23.819123
https://doi.org/10.1109/23.819123
Autor:
S.P. Karna, R.D. Pugh, J.R. Chavez, W. Shedd, C.P. Brothers, B.K. Singaraju, M. Vitiello, G. Pacchioni, R.A.B. Devine
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 45:2408-2412
In order to understand the physics of radiation-induced proton density decay in thin SiO/sub 2/ films, we performed ab initio Hartree-Fock calculations of the potential energy curves for the interaction between model oxide clusters and H in two charg
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf4daecbf15b573781cbd41a269e60ed
https://doi.org/10.1109/23.736479
https://doi.org/10.1109/23.736479
Autor:
J.R. Chavez, S.P. Karna, K. Vanheusden, C.P. Brothers, R.D. Pugh, B.K. Singaraju, W.L. Warren, R.A.B. Devine
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 44:1799-1803
Radiation induced defect creation or revelation in metal oxide-semiconductor (MOS) field effect transistors (FET) or bipolar structures remains a hazard for devices exposed to hostile environments such as those encountered in space. Certainly for MOS
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::138f516071efe4eed76235437149d0d2
https://doi.org/10.1109/23.658945
https://doi.org/10.1109/23.658945
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.