Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"S.P. Fu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Solid State Communications. 137:203-207
We report an investigation of the recombination mechanism for photoluminescence (PL) in InN epilayers grown by molecular beam epitaxy and metal-organic chemical vapor deposition with a wide range of free electron concentrations from 3.5×10 17 –5×
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2e248b2fa2cae7a61bcb508190cb13e9
https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.11.013
https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.11.013
Autor:
J. Martinez-Navio, S.P. Fuchs, D.E. Mendes, C.P. Ramos Muniz, E.G. Rakasz, G. Gao, J.D. Lifson, R.C. Desrosiers
Publikováno v:
Journal of Virus Eradication, Vol 8, Iss , Pp 100251- (2022)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0aeaa0eff5364986bcf9c2a7a21ca50c
Autor:
B.C. Rosen, M.J. Ricciardi, J.J. Louw, T.B. Voigt, F.D. Laurino, A. Yrizarry-Medina, C. Panayiotou, F. Zhao, J. Woolf, S.P. Fuchs, M.A. Martins, M. Farzan, D.R. Burton, D. Sok, E.G. Rakasz, R.C. Desrosiers, D.I. Watkins
Publikováno v:
Journal of Virus Eradication, Vol 8, Iss , Pp 100282- (2022)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6374ea3858ed4a18b3a9ff4e278884bd
Autor:
W. Chang, P.W. Wang, Ming-Ta Lei, K. Goto, H.C. Hsieh, C.H. Diaz, W.Y. Lien, S.C. Wang, H.Y. Huang, Hun-Jan Tao, Y.H. Chang, C.H. Yeh, L.T. Lin, D.Y. Lee, C.C. Wu, S.P. Fu, Y.H. Chiu, J.H. Chen, M.H. Hsieh, Y.P. Wang, C.T. Lin, Che-Min Chu, H.H. Lin, S.Y. Lu, Y.J. Mii, S.J. Yang, Chun-Kuang Chen, C.F. Nieh, Y.Y. Tarng, Kuan-Lun Cheng, M. Cao, Chii-Ming Wu, H.C. Tuan, D.W. Lin, M.J. Huang, F.C. Chen, C.M. Liu, M.Y. Wang
Publikováno v:
2007 IEEE International Electron Devices Meeting.
A highly scaled, high performance 45 nm CMOS technology utilizing extensive immersion lithography to achieve the industry's highest scaling factor with ELK (k=2.55) BEOL is presented. A record gate density 2.4X higher than that of 65 nm is achieved.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::166dfe572d93dc05f186c9f2320a2e52
https://doi.org/10.1109/iedm.2007.4418913
https://doi.org/10.1109/iedm.2007.4418913
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.