Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"S.P. Alexandrova"'
Publikováno v:
Thin Solid Films. 48:187-192
Oxygen ions with energies of 5–60 keV were implanted into Si at doses of 10 15 –10 18 ions cm −2 to form SiO 2 layers. Annealing was carried out in nitrogen at 500–1000 °C and in hydrogen at 450 °C. By monitoring the IR transmission spectra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::786d3931b5f700797b4d0f31a41ee9eb
https://doi.org/10.1016/0040-6090(78)90240-7
https://doi.org/10.1016/0040-6090(78)90240-7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.