Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"S.O. Zlobin"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. A. Evtukh, Magnus Karlsteen, O.V. Steblova, S.O. Zlobin, O. Yu. Semchuk, O.O. Gavrylyuk, O.L. Bratus, Leonid L. Fedorenko
Publikováno v:
Applied Surface Science. 336:217-221
The interaction of laser irradiation with SiOx films, and the process of decomposition of SiOx on SiO2 and Si nanocrystals under the influence of laser irradiation are investigated. The mathematical modeling of temperature distribution in a c-Si wafe
Autor:
S.O. Zlobin, Evgeniya V. Begun, Igor Lisovskyy, V. G. Litovchenko, Viktor Dan’ko, Petr E. Shepelyavyi, I. Z. Indutnyi, Ekaterina V. Mikhailovskaya
Publikováno v:
Modern Electronic Materials, Vol 1, Iss 1, Pp 16-21 (2015)
Quantum dot/SiOx film structures synthesized using a new hydrogen fluoride technology of silicon nanoparticles in a porous silicon oxide matrix have been studied in detail. A physical mechanism of influence of chemical treatment in HF vapors in air o
Autor:
V. F. Machulin, V. P. Kladko, Andrey Sarikov, S.O. Zlobin, V.G. Litovchenko, Igor Lisovskyy, M. V. Voitovych
Publikováno v:
Solid State Phenomena. :279-282
In this paper, the influence of the rapid thermal annealing of single crystalline Cz-Si wafers on the evolution of the concentration of interstitial oxygen as well as oxygen in precipitated oxide phase was investigated by infrared spectroscopy. The w
Autor:
Igor Lisovskyy, O.O. Efremov, V.G. Litovchenko, V. P. Kladko, Cor Claeys, S.O. Zlobin, M.V. Slobodjan, M.V. Muravska
Publikováno v:
Solid State Phenomena. :405-412
IR-spectroscopy with computer analysis of the shape of the Si-O absorption band, electron microscopy, X-rays diffraction and measurements of unsteady photoconductivity timedecay under band-to band excitation were used to investigate the influence of
Autor:
V. F. Machulin, S.O. Zlobin, Nikolay Slobodyan, Igor Lisovskyy, Maria Voitovich, Corneel Claeys, V. G. Litovchenko, Andrey Sarikov, V. P. Kladko
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 158:H772
The mechanisms of oxygen precipitation in the SiO2 phase during rapid thermal annealing of solar-grade Cz-Si wafers at moderate temperature (850 C) are analysed. A theoretical model is derived to study the kinetics of oxygen precipitate growth that t
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 91:133109
The kinetics of phase separation and growth of Si precipitates during high-temperature annealing of nonstoichiometric SiOx films is theoretically studied. The mechanisms of silicon diffusion and capture by Si precipitates as well as oxygen emission a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.