Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"S.N. Shih"'
Autor:
S.N. Shih, Chao-Sung Lai, Mao-Ying Wang, Minchen Chang, Ruey-Dar Chang, Pei-Ing Lee, Jengping Lin
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 52:484-491
Data retention degradation of a 256-Mbit DRAM during the packaging process is investigated in this paper. Electrical measurement and device simulation show that a trap-assisted leakage degrades the retention time even in packaging process at about 25
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::60e09875b96db81fcdf0fba91e240e98
https://doi.org/10.1109/ted.2005.844743
https://doi.org/10.1109/ted.2005.844743
Publikováno v:
Proceedings of the 11th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits. IPFA 2004 (IEEE Cat. No.04TH8743).
The data retention time performance of 256 Mbit DRAM is degraded even in a 250/spl deg/C packaging process. The retention time degradation is strongly dependent on the negative wordline voltage and operation temperature. Trap-assisted gate induced dr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::378a8204d0bdec2a47da4e645ffaea27
https://doi.org/10.1109/ipfa.2004.1345638
https://doi.org/10.1109/ipfa.2004.1345638
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.