Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"S.M. Guschin"'
Autor:
O. P. Tolbanov, V.P. Germogenov, O.G. Shmakov, L.S. Okaevich, G.I. Ayzenshtat, A. P. Vorobiev, S.M. Guschin
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 531:97-102
The growth of GaAs epitaxial structures for X- and γ-ray detectors and the device characteristics have been investigated. Conditions of reproducible LPE growth of GaAs layers more than 100 μm thick on substrates of 40 μm diameter have been establi
Autor:
D.L. Budnitsky, S.M. Guschin, V.P. Germogenov, A.A. Larionov, O. P. Tolbanov, A.I. Potapov, A. P. Vorobiev, L.P. Porokhovnichenko
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 466:33-38
The growth and characteristics of the detector p–i–n-structures fabricated by means of the epitaxial methods are discussed. High-resistivity i-layers containing chromium as a compensated impurity have been grown on the n-GaAs substrates by the li
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.