Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"S.L. Shue"'
Publikováno v:
Thin Solid Films. 515:1107-1111
In this work, a highly selective and self-activated (Pd-free) Co-based deposition process for capping of Cu-lines is presented. TEM images of the cross-section of capped Cu-lines show no extraneous deposition, which translates to selectivity and dire
Publikováno v:
Chemical Geology. 144:47-61
Thermal-neutron fluences in soil are reported for selected fast-neutron sources, selected soil types, and selected irradiation geometries. Sources include 14 MeV neutrons from accelerators, neutrons from spontaneously fissioning 252 Cf, and neutrons
Publikováno v:
Radiation Protection Dosimetry. 45:61-64
Autor:
Sri Satyanarayana, A. Gonzalez, J.C. Lin, S.L. Shue, C.H. Yu, T. Jacobs, K. Brennan, R. Augur, M.S. Liang, H. Martinez, H.S. Lee
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2002 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.02EX519).
In this paper, ISMT reports on the first successful integration of a porous ultra low-k dielectric in a via first/trench last dual damascene structure. The porous dielectric was a spin on siloxane based material with k/spl sim/2.2. Cap layer optimiza
Autor:
Liang Min-Chang, H.T. Lin, S.S. Lin, W.M. Chen, Ming-Huan Tsai, Y.C. See, C.H. Wang, Chih-Sheng Chang, H. T. Huang, S.Y. Wu, H.C. Lin, S.M. Jang, W.J. Liang, Tze-Liang Lee, P.W. Wang, Carlos H. Diaz, Y.K. Leung, Yi-Ming Sheu, Y.C. Sun, Chang-Yun Chang, C.H. Hsieh, Burn-Jeng Lin, S.Z. Chang, C.Y. Fu, S.L. Shue, Shang-Jr Chen, D.W. Lin, Yuh-Jier Mii, C.C. Wu, L.K. Han
Publikováno v:
Digest. International Electron Devices Meeting.
A leading edge 90nm bulk CMOS device technology is described in this paper. In this technology, multi Vt and multi gate oxide devices are offered to support low standby power (LP), general-purpose (G or ASIC), and high-speed (HS) system on chip (SoC)
Autor:
C.H. Diaz, K.L. Young, J.H. Hsu, J.C.H. Lin, C.S. Hou, C.T. Lin, J.J. Liaw, C.C. Wu, C.W. Su, C.H. Wang, J.K. Ting, S.S. Yang, K.Y. Lee, S.Y. Wu, C.C. Tsai, H.J. Tao, S.M. Jang, S.L. Shue, H.C. Hsieh, Y.Y. Wang, C.C. Chen, S.C. Yang, S. Fu, S.Z. Chang, T.C. Lo, J.Y. Wu, J.S. Shy, C.W. Liu, S.H. Chen, B.L. Lin, B.K. Liew, T. Yen, C.H. Yu, Y.C. Chao, M.S. Liang, C. Wang, J.Y.C. Sun
Publikováno v:
1999 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.99CH36325).
This paper describes a leading-edge 0.18 /spl mu/m CMOS logic foundry technology. Very aggressive design rules and borderless contacts render a 4.4 /spl mu/m/sup 2/ embedded (synchronous cache) 6T SRAM cell demonstrated in a 1 Mb vehicle with very hi
Autor:
Harry L. Tuller, S.L. Shue
Publikováno v:
Solid State Ionics. :693-695
We examine the effect of CaO additions to Li 2 O·LiCl·B 2 O 3 glasses, since such additions are believed to improve durability in contact with lithium. CaO additions systematically decrease ionic conductivity in the boracite and metaborate glass sy
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.