Zobrazeno 1 - 10 of 49 pro vyhledávání: '"S.L. Cho"'
1
A 1.2-Mpixel Indirect Time-of-Flight Image Sensor With 4-Tap 3.5-μm Pixels for Peak Current Mitigation and Multi-User Interference Cancellation
Autor: Jesuk Lee, Yi-tae Kim, Young-Chan Kim, Myeonggyun Kye, Hoyong Lee, Jaeil An, Myunghan Bae, Bumsik Chung, Sungyoung Seo, Daeyun Kim, Myoungoh Ki, Sooho Son, S.L. Cho, Yeomyung Kim, Min-Sun Keel, Jung-Chak Ahn, Youngsun Oh, Seung Chul Shin, Yong Hun Kwon, Young-Gu Jin
Publikováno v: IEEE Journal of Solid-State Circuits. 56:3209-3219
A 1.2-Mpixel indirect time-of-flight (ToF) CMOS image sensor is presented to lower peak current and to cancel out multi-user interference. The proposed 4-tap 3.5- $\mu \text{m}$ demodulation pixel is optimally designed to improve quantum efficiency (
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::39c657c9b6a2983eecc51780c8be0f95
https://doi.org/10.1109/jssc.2021.3112405
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
A 2.8 μm Pixel for Time of Flight CMOS Image Sensor with 20 ke-Full-Well Capacity in a Tap and 36 % Quantum Efficiency at 940 nm Wavelength
Autor: Min-Sun Keel, Young-Chan Kim, Daeyun Kim, Youngsun Oh, Seung Chul Shin, Myunghan Bae, Sungyoung Seo, Sung-Ho Choi, Sunju Hong, S.L. Cho, Yeomyung Km, Young-Gu Jin, Taeun Hwang, Jung-Chak Ahn, Kyoung-Min Koh, Ho Woo Park, Yong Hun Kwon, Seok-Ha Lee, Yi-tae Kim
Publikováno v: 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
A 2.8μm 4-tap global shutter pixel has been realized for a compact and high-resolution time of flight (ToF) CMOS image sensor. 20,000 e- of high full-well capacity (FWC) per a tap is obtained by employing a supplementary MOS capacitor. 36% of high q
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::83f5add5ab4b5497ee814ef0e56440d6
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371950
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
High performance PRAM cell scalable to sub-20nm technology with below 4F2 cell size, extendable to DRAM applications
Autor: Eun-Hee Cho, S. W. Nam, D.H. Kim, S.L. Cho, June Moon, Dong-ho Ahn, Gyuhwan Oh, Dong-Hyun Im, S.O. Park, Chilhee Chung, Il-Goo Kim
Publikováno v: 2010 Symposium on VLSI Technology.
A PRAM cell with great scalability and high speed operation capability with excellent reliability below 20nm technology was demonstrated. This has the meaning of the potential applicable to the technology area of scaling limitation of DRAM cell. We f
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::65c8841bf8650799950c122edd672842
https://doi.org/10.1109/vlsit.2010.5556228
Zobrazit plný text záznamu
10
A unified 7.5nm dash-type confined cell for high performance PRAM device
Autor: Hong-Sick Park, H.G. An, Il-Goo Kim, D.H. Kim, S.O. Park, June Moon, U-In Chung, Dong-ho Ahn, J.I. Lee, Hideki Horii, S.L. Cho, Dong-Hyun Im
Publikováno v: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting.
We present a new-type confine structure within 7.5 nm width dash-contact for sub 20 nm generation PRAMs. Phase change material (PCM) by chemical vapor deposition (CVD) was perfectly filled in a 7.5 nm width dash-contact without void along with 30 nm
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a1b4bcb6f6f5e3818a2003f3c8a8841e
https://doi.org/10.1109/iedm.2008.4796654
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje