Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"S.K. Zahn"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology. 15:465-477
The development of a comprehensive electromagnetic (EM) modeling tool, the Networking Algorithm, is discussed. This tool is capable of simulating on a digital computer the complexities inherent in real-world interconnects and packages, including simu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b0a3df17205b355a700de3e38c95b545
https://doi.org/10.1109/33.159875
https://doi.org/10.1109/33.159875
Autor:
D.J. Schwab, K.E. Bliley, E.S. Daniel, Barry K. Gilbert, S.K. Zahn, James A. Levine, Paul H. Kane, K.L. Rowley
Publikováno v:
2007 29th Annual International Conference of the IEEE Engineering in Medicine and Biology Society.
In recent years, there has been much research and development of wearable devices using accelerometers for studying physical activity. Previously, we have described the development of the Posture and Activity Detector (PAD). After demonstrating succe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e779b3370161f3ffbcccee2e2fec8e5b
https://doi.org/10.1109/iembs.2007.4352876
https://doi.org/10.1109/iembs.2007.4352876
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S.M. Karwoski, I. Burrows, M. Plagens, M.L. Samson, S.K. Zahn, W.R. Betten, James R. Biard, B.A. Naused, Barry K. Gilbert, R. Thompson, G.M. Lee, Andrzej Peczalski, H.S. Somal
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 23:581-590
A 12*12 multiplier consisting of 19000 devices was successfully implemented on a 6000-gate array. A high-yield-oriented circuit design and the gate-array architecture are presented. It is shown that when temperature compensation is applied the GaAs c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3334f4c20d0655c86b953a753d771fbb
https://doi.org/10.1109/4.1025
https://doi.org/10.1109/4.1025
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.