Zobrazeno 1 - 10
of 63
pro vyhledávání: '"S.J. Rashid"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rajesh Kumar Malhan, T. Reimann, Florin Udrea, S.J. Rashid, Yuuichi Takeuchi, Naohiro Sugiyama, Gehan A. J. Amaratunga, Mitsuhiro Kataoka
Publikováno v:
Materials Science Forum. :1067-1070
Static and dynamic behavior of the epitaxially grown dual gate trench 4H-SiC junction field effect transistor (JFET) is investigated. Typical on-state resistance Ron was 6 – 10mΩcm2 at VGS = 2.5V and the breakdown voltage between the range of 1.5
Autor:
Gehan A. J. Amaratunga, S.J. Rashid, Nalin L. Rupesinghe, Mihai Brezeanu, Florin Udrea, T. Butler
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 17:736-740
Synthetic diamond power Schottky structures have the capability of sustaining significant reverse voltages with rather thin drift layers. Diamond Schottky barrier diodes (SBDs) also exhibit promising on-state behaviour. This paper looks at the influe
Autor:
S.J. Rashid, C. Mark Johnson, A. Mihaila, Gehan A. J. Amaratunga, Florin Udrea, Rajesh Kumar Malhan
Publikováno v:
Materials Science Forum. :971-974
A novel high temperature wire bondless packaging technique is numerically investigated in this paper. Extraction of device effective resistivity with temperature from numerical characteristics of 1.2kV 4H-SiC MOSFETs at a current density of 400A/cm2
Autor:
Mitsuhiro Kataoka, Florin Udrea, S.J. Rashid, Yuuichi Takeuchi, Gehan A. J. Amaratunga, A. Mihaila, Rajesh Kumar Malhan
Publikováno v:
Materials Science Forum. :925-928
An investigation concerning suitable termination techniques for 4H-SiC trench JFETs is presented. Field plates, p+ floating rings and junction termination extension techniques are used to terminate 1.2kV class PiN diodes. The fabricated PiN diodes ev
Autor:
S.J. Rashid, Nalin L. Rupesinghe, Gehan A. J. Amaratunga, Florin Udrea, Marioara Avram, Gheorghe Brezeanu, T. Butler, Mihai Brezeanu
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 16:1020-1024
The promising theoretical properties of diamond, together with the recent advances in producing high-quality single crystal diamond substrates, have increased the interest in using diamond in power electronic devices. This paper presents numerical an
Autor:
Pierre Brosselard, Philippe Godignon, D. Tournier, Florin Udrea, A. Mihaila, José Antonio Alloza Millán, Gehan A. J. Amaratunga, S.J. Rashid
Publikováno v:
physica status solidi c. 4:1544-1547
Silicon Carbide is an attractive material to develop new generation of power devices due to its outstanding physical and thermal properties. Due to the JFET performances, the reverse mode shows a great interest for power applications particularly con