Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"S.J. Lichwalla"'
Autor:
J.J. Komiak, Y. Wang, Joseph A. Smart, E.M. Chumbes, Noel C. MacDonald, Iii. R.E. Leoni, D. Hogue, A. T. Schremer, James R. Shealy, S.J. Lichwalla
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 48:420-426
AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) on silicon substrates have for the first time been realized using organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE). Using 1 /spl Omega/-cm p-Si(111), these devices exhibited static output characteristics
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5a5674dacbbff160f9d45de907d3d597
https://doi.org/10.1109/16.906430
https://doi.org/10.1109/16.906430
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.