Zobrazeno 1 - 10
of 80
pro vyhledávání: '"S.H. Pyun"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the Combustion Institute. 34:369-376
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D.K. Oh, J.H. Lee, J.S. Yim, S.U. Hong, D. Lee, J.S. Kim, W.G. Jeong, M.D. Kim, S.H. Pyun, H.D. Kim, Y.D. Jang
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 36:190-193
We report on round quantum dots grown on InP (100) substrate, which emit around 1.55 μm. At 10 K the full width at half maximum is as small as 28 meV, attesting a rather uniform size distribution. The carrier lifetimes are almost the same across the
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2008 International Nano-Optoelectronics Workshop.
We have fabricated semiconductor optical amplifiers (SOAs) which include InAs quantum dot (QD) active layers grown on InP substrate. The SOAs exhibit the relatively high optical gain, but their linewidth enhancement factors are relatively high, 5 ~ 7