Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"S.G. Nassif-Khalil"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 51:1185-1191
A monolithic lateral double diffused MOSFET (LDMOST) based on the super junction (SJ) concept is proposed to significantly improve the device's on-state and off-state characteristics. The device structure features a split drift region made of two par
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78dc08fc2ca2aa390bbb5a204ea29a84
https://doi.org/10.1109/ted.2004.829876
https://doi.org/10.1109/ted.2004.829876
Autor:
S.G. Nassif-Khalil, C.A.T. Salama
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 50:1385-1391
A super-junction lateral double diffused MOST (SJ-LDMOST) in silicon-on-sapphire technology, targeting power integrated circuits (PICs), is proposed, implemented and characterized. The proposed structure eliminates "substrate-assisted-depletion" effe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7b196e8fe6efb9c46a8cca9259af964f
https://doi.org/10.1109/ted.2003.813460
https://doi.org/10.1109/ted.2003.813460
Publikováno v:
Proceedings of the 30th European Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.04EX850).
Conventional super junction LDMOSTs (SJLDMOSTs), fabricated on an SOI substrate, suffer from low breakdown voltage due to substrate-depletion effects. In this work, a back etched SJLDMOST (BSJLDMOST) on SOI is proposed to overcome this problem by eli
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7a6c0d4511c00fa51447a15311d8c4c7
https://doi.org/10.1109/essder.2004.1356502
https://doi.org/10.1109/essder.2004.1356502
Autor:
C.A.T. Salama, S.G. Nassif-Khalil
Publikováno v:
Proceedings of the 14th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics.
This paper reports on a novel Super Junction LDMOST in SOS technology (SJ-LDMOST) targeting Power Integrated Circuits (PICs) and discusses a CMOS compatible process used in the implementation of the device. The proposed structure uses a simple and pr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::56b96b1890883b2da12782aead66e3a2
https://doi.org/10.1109/ispsd.2002.1016176
https://doi.org/10.1109/ispsd.2002.1016176
Publikováno v:
12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings (Cat. No.00CH37094).
1 A lateral Power MOSFET switch, implemented in a 0.25 /spl mu/m-5 metal CMOS process and suitable for high-frequency switch mode on-chip DC/DC converters is described in this paper. The fabricated device has an active chip area of 130 /spl mu/m/spl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::db80f4c78b90b6a80e23d51547fa4f56
https://doi.org/10.1109/ispsd.2000.856769
https://doi.org/10.1109/ispsd.2000.856769
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.