Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"S.E. Ungersboeck"'
Publikováno v:
IEEE Transactions On Nanotechnology. 6:334-340
Results of recent mobility measurements in ultrathin-body FETs are analyzed theoretically for different substrate orientations. A Monte Carlo method incorporating the degenerate statistics exactly is used for calculations of the mobility. Due to volu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 53:3054-3062
The application of mechanical stress to enhance the carrier mobility in silicon has been well established in the last few years. This paper probes into the electron conduction in biaxially and uniaxially stressed silicon in the nonlinear transport re
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 52:527-533
Strained-Si material has emerged as a strong contender for developing transistors for next-generation electronics, because this material system offers superior transport properties. We suggest a model describing the low-field bulk mobility tensor for
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.