Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"S.E. Coe"'
Autor:
Daniel J. Twitchen, Geoffrey Alan Scarsbrook, Toshiki Makimoto, Yoshiharu Yamauchi, S.E. Coe, Kenji Ueda, M. Schwitters, Makoto Kasu
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 15:1954-1957
We characterized high-quality polycrystalline diamond with large grains and fabricated polycrystalline diamond field effect transistors (FETs). The polycrystalline diamond had (110) preferred orientation, and its typical grain size was ∼ 100 μm. W
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R.S Sussmann, S.E Coe
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 9:1726-1729
The exceptional combination of mechanical, thermal, chemical and optical properties of diamond make this material an ideal choice for numerous applications in which materials are required to operate in adverse environments exposed to abrasion or chem
Autor:
Toshiki Makimoto, Makoto Kasu, M. Schwitters, S.E. Coe, Yoshiharu Yamauchi, D. J. Twitchen, Kenji Ueda, G. A. Scarsbrook
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 27:570-572
Using high-quality polycrystalline chemical-vapor-deposited diamond films with large grains (/spl sim/100 /spl mu/m), field effect transistors (FETs) with gate lengths of 0.1 /spl mu/m were fabricated. From the RF characteristics, the maximum transit
Autor:
G.G. Lister, S.E. Coe
Publikováno v:
Computer Physics Communications. 75:160-184
A computer code for describing low pressure mercury-noble gas discharges, with particular application to flourescent lighting, is described. Diffusion equations are formulated for ground and excited states of mercury atoms, and also electrons and mol
Autor:
M. Kubovic, E. Kohn, Martin Neuburger, A. Kaiser, S.E. Coe, A. Tajani, D.J. Twitchen, M. Schwitiers, H. El-Haji, M. Dixon
Publikováno v:
European Radar Conference, 2005. EURAD 2005..
We report the utilization of synthetic diamond grown by chemical-vapour-deposition (CVD) for use as metal-semiconductor field-effect-transistors (MESFETs). The lack of a shallow n-type donor means that diamond-based electronic devices are unipolar (p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.