Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"S.D. Steenwyk"'
Autor:
S.D. Steenwyk, L.C. Alchesky, D.A. Longfellow, J.C. Desko, R.A. Kohler, R.A. Kushner, R. Flores, C.A. Benevit, K.H. Lee, R.H. Arnold, D.G. Clemons
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 35:1667-1669
Describes a 256 K*1 radiation-hard SRAM and the process enhancements that resulted in its successful fabrication, and present total-dose-exposure results. Typical measured performance values include an address-activated access time of 36 ns and a wri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3c3777ad954870ad01d6c564646ed2e6
https://doi.org/10.1109/23.25518
https://doi.org/10.1109/23.25518
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
LIU, YIFAN1 lyf1721@outlook.com
Publikováno v:
Mathematical Modelling of Natural Phenomena. 2023, Vol. 18, p1-19. 19p.
Autor:
R. Flores, R.E. Anderson, Julie A. Shimer, William J. Nagy, R.A. Kohler, R. Koga, S.D. Steenwyk, K.H. Lee, F. W. Hewlett, J.S. Fu, J.C. Desko
Publikováno v:
1987 International Electron Devices Meeting.
The processing and design geometric scaling effects on the soft-error tolerance levels of the 16K 2-µm technology and the 256K 1-µm technology CMOS SRAMs are separated by fabricating the 16K 2-µm design with the 1-µm process. Although the 1-µm t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::df87504d7c580531e28424982cf24969
https://doi.org/10.1109/iedm.1987.191482
https://doi.org/10.1109/iedm.1987.191482
Publikováno v:
1986 International Electron Devices Meeting.
The selective chemical vapor deposition of tungsten layers over patterned aluminum interconnect is used to fabricate a bilayer metallization, in which all exposed aluminum surfaces are uniformly encapsulated by tungsten. MB DRAM as well as VLSI logic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d84e4d084980dbcc9b435eba7bf07dcf
https://doi.org/10.1109/iedm.1986.191108
https://doi.org/10.1109/iedm.1986.191108
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.