Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"S.C. Blackstone"'
Autor:
S.C. Blackstone, R.P. Mertens
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 13:893-898
The SCTL gate which promises increased speed and reduced power is discussed. It involves the use of a single lowly doped collector incorporating Schottky diodes to decode the output. A complete electrical model is formulated and compared with experim
Autor:
R.P. Mertens, S.C. Blackstone
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 12:270-275
A new I/SUP 2/L gate which promises increased packing density and increased speed is discussed. It incorporates the use of a Schottky contact as the collector of the vertical switching transistor of an I/SUP 2/L gate. Calculations and experiments sho
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.