Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"S.B. Lastovski"'
Publikováno v:
Journal of End-to-End-testing. 404:4561-4564
It has been revealed that self-interstitials formed under low intensity electron irradiation in high resistivity p-type silicon can be retained frozen up to room temperature. Low thermal mobility of the self-interstitials suggests that Frenkel pairs
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d027eac7a8ea635975efad0fa64b4821
https://doi.org/10.1016/s9999-9994(09)20505-8
https://doi.org/10.1016/s9999-9994(09)20505-8
Autor:
Ioana Pintilie, Michael Moll, N. Zamiatin, G. Lindström, N. Kazuchits, Leonid Makarenko, S. B. Lastovskii, Eckhart Fretwurst, F.P. Korshunov, S.B. Lastovski, Rusetsky
Publikováno v:
Solid State Phenomena. :217-222
The influence of preliminary treatment in hydrogen plasma on elimination of radiation defects and formation of thermal donors has been studied in detector structures made of standard and oxygenated float zone silicon has been studied. A new type of t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ee233a3caf2f303a29374437ad8b2126
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.108-109.217
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.108-109.217
Autor:
N. Zamiatin, Michael Moll, S.B. Lastovski, Leonid Makarenko, M.S. Rusetsky, Ioana Pintilie, F.P. Korshunov, Eckhart Fretwurst, N. Kazuchits, G. Lindström
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 552:77-81
The influence of preliminary treatment in hydrogen plasma on elimination of radiation defects and formation of thermal donors has been studied in detector structures made of standard float zone silicon. The detectors were irradiated with 3.5 MeV elec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::71e455dbf5e228d74dadb07629d9659e
https://doi.org/10.1016/j.nima.2005.06.010
https://doi.org/10.1016/j.nima.2005.06.010
Autor:
L.F. Makarenko, F.P. Korshunov, S.B. Lastovski, S.B. Lastovskii, N.M. Kazuchits, M.S. Rusetsky, Eckhart Fretwurst, G. Lindström, Michael Moll, Ioana Pintilie, N.I. Zamiatin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::20f2eb6aaad7688c4c143aa6048d6a52
https://doi.org/10.4028/3-908451-13-2.217
https://doi.org/10.4028/3-908451-13-2.217
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 101:113537
We present deep level transient spectroscopy (DLTS) data measured on very high resistivity n-type float-zone silicon detectors after irradiation with 6MeV electrons. The carbon interstitial annealing kinetics is investigated as a function of depth in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::38d7b88c07fd96e223074aeaf387bd4c
https://doi.org/10.1063/1.2745328
https://doi.org/10.1063/1.2745328
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.