Zobrazeno 1 - 10
of 84
pro vyhledávání: '"S.B. Emery"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Corrosion Science. 48:372-388
The contact areas between Cu and Ta of a Cu interconnect can be susceptible to galvanic corrosion during chemical mechanical planarization (CMP) in polishing slurries capable of supporting ionic conduction. In the present work, we probe this effect a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ea130f2c44b2cb2cb0c80b9ae65cd7cc
https://doi.org/10.1016/j.corsci.2005.01.008
https://doi.org/10.1016/j.corsci.2005.01.008
Publikováno v:
Electrochimica Acta. 50:5659-5672
In this work, we use the time resolved technique of Fourier transform electrochemical impedance spectroscopy (FT-EIS) for quantitative kinetic analyses of Faradaic and nonfardaic, as well as heterogeneous and adsorption reactions. As a model system,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::90909c45da191dd0ac4cc4a9a38d6045
https://doi.org/10.1016/j.electacta.2005.03.043
https://doi.org/10.1016/j.electacta.2005.03.043
Publikováno v:
Materials Letters. 59:690-693
TaN and Ta are used as diffusion-barriers for Cu interconnects in semiconductor microchips, and both these materials are patterned using the technique of chemical mechanical planarization (CMP). In the present work, we find satisfactory polish rates
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7370475ab0337575ec91b4601e5676d5
https://doi.org/10.1016/j.matlet.2004.11.010
https://doi.org/10.1016/j.matlet.2004.11.010
Publikováno v:
Materials Chemistry and Physics. 89:345-353
Ag may eventually replace Cu (like Cu has replaced Al) in sub-micron interconnects used for integrated circuits. Fabrication of such Ag lines would typically involve damascene structures patterned by chemical–mechanical planarization (CMP). Our pre
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78cc61b53531751ee37640213338be3b
https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2004.09.011
https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2004.09.011
Publikováno v:
Materials Chemistry and Physics. 86:347-357
This work presents an electrochemical investigation of chemical reactions kinetics in chemical–mechanical polishing of Ta in a peroxide-based alkaline medium. Time resolved Fourier transform electrochemical impedance spectroscopy is combined with c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::05f346f1aff4e8f7d24a5b712428c455
https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2004.03.016
https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2004.03.016