Zobrazeno 1 - 10
of 55
pro vyhledávání: '"S.A. Stockman"'
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. :888-890
Acceptor atoms are experimentally observed to accumulate in the low bandgap layers of III–V heterostructures while being depleted from the high bandgap layers. Such acceptor segregation can be explained by considering the space charge neutrality co
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::19d63416b6d610a4e22a4772ffbd3e61
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00950-4
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00950-4
Publikováno v:
50th Annual Device Research Conference.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::056bd706522222207d40d39575e78b3d
https://doi.org/10.1109/drc.1992.671882
https://doi.org/10.1109/drc.1992.671882
Autor:
N.F. Gardner, H.C. Chui, E.I. Chen, M.R. Krames, J.-W. Huang, F.A. Kish, S.A. Stockman, C.P. Kocot, T.S. Tan, N. Moll
Publikováno v:
1999 57th Annual Device Research Conference Digest (Cat. No.99TH8393).
We describe record performance (both external quantum efficiency and luminous efficiency) for cubic-shaped light emitting diodes (LEDs) emitting in the yellow-to-red portion of the visible spectrum. Amber (peak wavelength of 590 nm) and red (630 nm)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d1c32679bb353d5ff7ba3c858bb397b3
https://doi.org/10.1109/drc.1999.806367
https://doi.org/10.1109/drc.1999.806367
Publisher Summary This chapter describes the organometallic vaporphase epitaxy (OMVPE) growth of Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP) for high-efficiency LED applications. First, a broad overview of growth conditions and the requirements for
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::448b3846cfc0a4f857d290362527e035
https://doi.org/10.1016/s0080-8784(08)62405-9
https://doi.org/10.1016/s0080-8784(08)62405-9
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 39:2656-2657
Summary form only given. The authors present a comparison of single- and double-heterojunction devices formed in the InGaP/GaAs materials system. The HBT (heterojunction bipolar transistor) structures used for this study were grown by LP-MOCVD (low-p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6d8b880018cbb63d582c3b6ea58dacf3
https://doi.org/10.1109/16.163517
https://doi.org/10.1109/16.163517
Autor:
G.E. Stillman, S.A. Stockman
Publikováno v:
Materials Science Forum. :501
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dfab85ac1e3e64a93ca632b5df3440d9
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.148-149.501
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.148-149.501
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.