Zobrazeno 1 - 10
of 41
pro vyhledávání: '"S.A. Karandashov"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Infrared Physics & Technology. 37:83-86
Double heterostructure InAsSbP/In 1− x Ga x As 1− y Sb y diode lasers emitting at 3.05–3.6 μm have been fabricated by liquid phase epitaxy. These devices exhibit high external efficiency (10–15% at 77 K) and output power up to 15 mW and can
Autor:
O. B. Gusev, M. Aydaraliev, S.A. Karandashov, B. A. Matveev, G. N. Talalakin, N V Zotova, M. N. Stus, M. S. Bresler
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 10:151-156
Using photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) measurements and calculated energy band diagrams, we have studied the mechanisms of radiation recombination in InAsSb/InAsSbP double heterostructures forming the basis of lasers emitting at 3.
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 8:1575-1580
The authors present data on low-threshold (Jth
Autor:
M. Remennyi, S.A. Karandashov, N.M. Stus, V. Shustov, Nonna V. Zotova, G. N. Talalakin, N. Il'inskaya, Jouko Malinen, B.A. Matveev
Publikováno v:
Matveev, B, Zotova, N, Karandashov, S A, Remennyi, M, Il'inskaya, N, Stus, N M, Shustov, V, Talalakin, G N & Malinen, J 1998, ' InAsSbP/InAs LEDs for the 3.3-5.5μm spectral range ', IEE proceedings: Optoelectronics, vol. 145, no. 5, pp. 254-256 . https://doi.org/10.1049/ip-opt:19982303
Room-temperature LEDs, fabricated from LPE grown InAsSb(P)/InAs heterostructures, are characterised with respect to methane (3.3 /spl mu/m), carbon dioxide (4.3 /spl mu/m) and nitric oxide (5.3 /spl mu/m) optical detection. Output power as high as 50
Autor:
B.A. Matveev, Nonna V. Zotova, G. N. Talalakin, S.A. Karandashov, N. Il'inskaya, V. Shustov, M. Remennyi, Jouko Malinen, N.M. Stus
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Publikováno v:
Proceedings of European Meeting on Lasers and Electro-Optics CLEOE-96.
Mid-IR diode lasers emitting in the 3-4 pm region where most of the gases have absorption bands can be used for gas spectroscopy and fibre optic sensors. Electro- and photoluminescence of the InAs/InAsSbP and InAsSb/InAsSbP double heterostructures (D