Zobrazeno 1 - 10
of 91
pro vyhledávání: '"S.A. Dotsenko"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Vacuum. 202:111193
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nikolay G. Galkin, Anton K. Gutakovskii, D. L. Goroshko, S.A. Dotsenko, Konstantin N. Galkin, E.A. Chusovitin
Publikováno v:
Key Engineering Materials. 806:30-35
The morphology and structure of iron silicide nanorods formed on Si (111) vicinal surface by the SPE method at T = 630 °C were studied. Optimal Fe coverage and Fe deposition rate for the formation of a dense array of the nanorods (54-65% of the subs
Publikováno v:
Journal of Alloys and Compounds. 778:514-521
Formation of magnesium silicides on amorphous silicon by deposition of Mg at room temperature is studied by electron energy loss spectroscopy, differential reflectance spectroscopy and high resolution transmission electron microscopy. Optimal crystal
Autor:
Sergei A. Kitan, D. L. Goroshko, E.A. Chusovitin, Nikolay G. Galkin, S.A. Dotsenko, Konstantin N. Galkin
Publikováno v:
Defect and Diffusion Forum. 386:86-94
Thin (200-600 nm) Si-Sn alloy films were grown under ultrahigh vacuum conditions by co-deposition of Si and Sn on the Si (100) substrate at room temperature. Investigations of the film structure by X-ray diffraction showed the preservation of the amo
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
E.A. Chusovitin, N. G. Galkin, S.A. Dotsenko, Alexander V. Shevlyagin, Anton K. Gutakovskii, D. L. Goroshko, S. V. Chusovitina
Publikováno v:
Scripta Materialia. 136:83-86
A double-layer heterostructure with embedded into single-crystal silicon matrix nanocrystals (NCs) of gallium antimonide (GaSb) was grown. The NCs were formed by solid phase epitaxy method using 1.6-nm-thick Ga-Sb stoichiometric mixture and annealing
Autor:
Igor M. Chernev, Béla Pécz, Andrea Németh, Konstantin N. Galkin, Zoltán Osváth, László Dózsa, Zs. Zolnai, S.A. Dotsenko, N. G. Galkin
Publikováno v:
Applied Surface Science. 405:111-118
Thin un-doped and Al doped polycrystalline Mg-stannide films consisting mainly of Mg 2 Sn semiconductor phase have been grown by deposition of Sn-Mg multilayers on Si(111) p-type wafers at room temperature and annealing at 150 °C. Rutherford backsca
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.