Zobrazeno 1 - 10
of 76
pro vyhledávání: '"S.A Reshanov"'
Autor:
V.V. Luchinin, A.V. Afanasev, S.A. Reshanov, V.A. Ilyin, Ascatron Ab, Kista – Stockholm, Sweden
Publikováno v:
Proceedings of Universities. ELECTRONICS. 25:483-396
Currently, chemical gas deposition is the main method for producing high-quality and reproducible epitaxial layers for commercial silicon carbide (SiC) power devices. Based on the experience of ETU «LETI» in the synthesis of monocrystalline SiC, an
Autor:
E. Schlenker, G. Wagner, A. C. Mofor, Abdelhamid El-Shaer, S.A. Reshanov, Andrey Bakin, Andreas Waag
Publikováno v:
Superlattices and Microstructures. 42:387-391
We report on the growth and characterization of n-ZnO/p-4H-SiC heterojunction diodes. Our n-ZnO layers were grown with radical-source molecular beam epitaxy (RS-MBE) on p-4H-SiC epilayers, which was previously prepared in a horizontal hot-wall reacto
Autor:
V.P Rastegaev, S.A Reshanov
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 10:2035-2038
Temperature-dependent electrical resistivity, optical transmission and photoconductivity measurements of semi-insulating bulk SiC:〈V,Al〉 are reported. X-Ray spectral microanalysis was used to determine V, Ti, Cr impurity concentrations. Optical t
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. :77-81
The growth of silicon carbide crystals in vacuum by the LETI method gives 6H and 4H polytypes of n- and p-type conductivity. This is done by the appropriate selection of construction material, doping conditions and crystallography orientation of the
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.