Zobrazeno 1 - 10
of 101
pro vyhledávání: '"S.-K Su"'
Autor:
A. Sanchez-Soares, C. Gilardi, Q. Lin, T. Kelly, S.-K. Su, G. Fagas, J.C. Greer, G. Pitner, E. Chen
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 202:108624
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C. Kuo, Lain-Jong Li, Prabhakar R. Bandaru, Matthias Passlack, H. Kashyap, Subhasish Mitra, Z. Zhang, Jin Cai, H-S Philip Wong, Andrew C. Kummel, T. Weiss, S.-K Su, Gregory Pitner, Q. Lin, Zhiping Yu, C. Gilardi, T. A. Chao
Publikováno v:
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
To realize superior electrostatic control, a gate oxide bilayer for carbon nanotubes (CNT) is employed consisting of a 0.35 nm interfacial dielectric (k=7.8) and 2.5 nm high-k ALD dielectric (k=24). Using experimentally measured dielectric constants
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Martin Christopher Holland, Z. Q. Wu, Aryan Afzalian, E. Chen, T. Vasen, Blandine Duriez, M.J.H. van Dal, Gerben Doornbos, Tzer-Min Shen, Carlos H. Diaz, Tung-Tsun Chen, Georgios Vellianitis, S.-K Su
Publikováno v:
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
We present (i) a novel, thermally stable Atomic Layer Deposition (ALD) high-k dielectric stack that, for the first time, has the potential to meet all gate stack requirements for both n- and p-channel Ge FETs, (ii) record low contact resistivity for
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.