Zobrazeno 1 - 10
of 1 062
pro vyhledávání: '"S. de Gendt"'
Autor:
P.-J. Wyndaele, J.-F. de Marneffe, S. Sergeant, C. J. L. de la Rosa, S. Brems, A. M. Caro, S. De Gendt
Publikováno v:
npj 2D Materials and Applications, Vol 8, Iss 1, Pp 1-11 (2024)
Abstract The full utilization of two-dimensional transition metal dichalcogenides (2D TMDCs) faces several challenges, among which is realizing uniform material deposition on the 2D surface. Typical strategies to enable material growth lead to a poor
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ccc03cc112f3408c89471794b1980979
Publikováno v:
APL Materials, Vol 12, Iss 3, Pp 031105-031105-7 (2024)
BaBiO3 has attracted a lot of research attention since it was discovered as the parent compound for the high-Tc superconducting BaPbxBi1–xO3 and Ba1–xKxBiO3. In its pure state, BaBiO3 is an insulator due to the presence of a breathing distortion
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/092af5947139417c90f675474199bda2
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 12, Iss 1, Pp 1-5 (2017)
Abstract A low-temperature electron spin resonance study has been carried out on large-area high-purity polycrystalline two-dimensional few monolayer (ML) 2H MoS2 films synthesized by sulfurization of Mo layers, with intent to atomically assess mobil
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/98872b024a6a44479f215432de23f0fd
Autor:
V. Hartman, E. Roeyen, B. Bracke, F. Huysentruyt, S. De Gendt, T. Chapelle, D. Ysebaert, B. Hendrikx, G. Roeyen
Publikováno v:
Pancreatology.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::64987c6e853f62659c1156f82e3cf5ce
https://doi.org/10.1016/j.pan.2023.05.012
https://doi.org/10.1016/j.pan.2023.05.012
Autor:
F. Nagano, F. Inoue, A. Phommahaxay, L. Peng, F. Chancerel, H. Naser, G. Beyer, A. Uedono, E. Beyne, S. De. Gendt, S. Iacovo
To obtain reliable 3D stacking, a void-free bonding interface should be obtained during wafer-to-wafer direct bonding. Historically, SiO2 is the most studied dielectric layer for direct bonding applications, and it is reported to form voids at the in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fd0644e2ea0e96d46412ed4c60321b0c
https://lirias.kuleuven.be/handle/20.500.12942/719992
https://lirias.kuleuven.be/handle/20.500.12942/719992
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J.-F. de Marneffe, D. Marinov, A. Goodyear, P.-J. Wyndaele, N. St. J. Braithwaite, S. Kundu, I. Asselberghs, M. Cooke, S. De Gendt
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology
The etching of HfO[Formula: see text] and ZrO[Formula: see text] high-k dielectrics is studied using plasma enhanced atomic layer etching. The etching method relies on a continuous argon inductively coupled plasma discharge in which reactive gases ar
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::aa05fe1cf13e02c870729c7915caeb46
https://lirias.kuleuven.be/handle/20.500.12942/706001
https://lirias.kuleuven.be/handle/20.500.12942/706001
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.