Zobrazeno 1 - 10
of 180
pro vyhledávání: '"S. Yaginuma"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Takehiko Sato, T. Nakamura, S. Yaginuma, Jun Ogawa, Satoshi Fukui, Tetsuo Oka, Kazuya Yokoyama, Yasuhiro Takahashi
Publikováno v:
Physics Procedia. 81:45-48
The authors have been attempting to obtain the uniform magnetic field distribution in the space between the face-to-face HTS bulk magnets. The magnetic poles containing the HTS bulk magnets are usually characterized as non-uniform magnetic field dist
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ryo Hayashi, Hisato Yabuta, Hisae Shimizu, Toshiaki Aiba, Amita Goyal, Hideyuki Omura, Naho Itagaki, Katsumi Abe, Masatoshi Watanabe, S. Yaginuma, Hideya Kumomi, Masato Ofuji, Nobuyuki Kaji, Ayumu Sato, Kenji Takahashi, Tomohiro Watanabe, Mikio Shimada, Tatsuya Iwasaki, Yoshinori Tateishi, Masafumi Sano
Publikováno v:
Journal of Display Technology. 5:531-540
This paper presents the following recent investigations of transparent amorphous-oxide semiconductors (TAOS) from materials to devices and circuits. 1) Composition of metals in TAOS are widely explored with the aim of seeking semiconductors suitable
Autor:
Tadaaki Nagao, Yasunori Fujikawa, Tomonobu Nakayama, Mineo Saito, S. Yaginuma, Toshio Sakurai, Jerzy T. Sadowski, Katsumi Nagaoka
Publikováno v:
Surface Science. 601:3593-3600
We have investigated the origin of “atomically flat” and “single-crystalline” growth of Bi films on Si(1 1 1)-7 × 7 through comparative experiments using Si(1 1 1)-β-√3 × √3-Bi as a control system. On the Si(1 1 1)-7 × 7 substrate, th
Publikováno v:
Surface Science. 600:4319-4322
We report atomic-scale quantum point contacts (QPCs) formed parallel to the substrate surface. The QPCs are formed in domain boundary of a multidomain Bi{0 1 2} film on a Si(1 1 1)-β√3 × √3-Bi substrate, thus direct observation of the QPCs with
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.