Zobrazeno 1 - 10
of 421
pro vyhledávání: '"S. Y. Shieh"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T.-P. Sun1,2, S.-Y. Shieh2 sy88@ibms.sinica.edu.tw
Publikováno v:
Oncogene. 5/7/2009, Vol. 28 Issue 18, p1971-1981. 11p. 1 Diagram, 5 Graphs.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Şimşir, Şakir1 (AUTHOR) sakirsimsir@nevsehir.edu.tr
Publikováno v:
EURASIP Journal on Wireless Communications & Networking. 10/7/2024, Vol. 2024 Issue 1, p1-34. 34p.
Autor:
Hlapisi, Nthabeleng1 (AUTHOR) 221121728@stu.ukzn.ac.za, Songca, Sandile P.1 (AUTHOR), Ajibade, Peter A.1 (AUTHOR) ajibadep@ukzn.ac.za
Publikováno v:
Pharmaceutics. Oct2024, Vol. 16 Issue 10, p1268. 44p.
Autor:
Hong, Chang-Eui1,2 (AUTHOR) gruni80@naver.com, Lyu, Su-Yun1,2 (AUTHOR) suyun@scnu.ac.kr
Publikováno v:
International Journal of Molecular Sciences. Aug2024, Vol. 25 Issue 15, p8459. 20p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Y. Shieh, R. C. Chiang
Publikováno v:
Journal of Mathematical Physics. 33:4053-4065
Jacobi found that the rotation of a symmetrical heavy top about a fixed point can be decomposed into a product of the torque‐free rotations of two triaxial bodies about their centers of mass. This theorem is generalized to the Kirchhoff’s case of
Autor:
S. Y. Shieh, James Evans
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 70:2968-2972
The stability of a cylindrical pore in an infinite medium, or of an infinite cylinder, when surface energy is significant is considered. The growth of small sinusoidal perturbations by viscous flow (creeping flow) or by evaporation/condensation are e
Autor:
S. Y. Shieh, James Evans
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 140:1094-1096
Experiments have been carried out to determine the influence of a porous silicon patch (located on the back surface of a silicon wafer) on the formation of stacking faults during oxidation typically encountered in the manufacture of integrated circui