Zobrazeno 1 - 10
of 24
pro vyhledávání: '"S. Y. Chiam"'
Publikováno v:
Nature Communications, Vol 7, Iss 1, Pp 1-10 (2016)
Fracture and related processes are typically considered detrimental, but have also attracted interest in more constructive roles. Here authors demonstrate ordered fragmentation at submicron scales of a metal oxide/hydroxide thin film by introducing p
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/856d6c47bbaf4202ab9c930ec1a15902
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 25:500-507
The reaction of yttrium (Y) on (001) silicon (Si) with low temperature annealing is investigated for different coverages of Y using in situ x-ray photoelectron spectroscopy. The authors have also performed oxidation studies for Y on Si in the formati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9db28d37b166310f0013468038813f2f
https://doi.org/10.1116/1.2720849
https://doi.org/10.1116/1.2720849
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 98:013507
Heterojunction solar cells with Al-alloyed polycrystalline p-type β-phase iron disilicide [p-β-FeSi2(Al)] on n-Si(100) were investigated. The p-β-FeSi2(Al) was grown by sputter deposition and rapid-thermal annealing. Photocurrent of ∼1.8 mA/cm2
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::01b1c5894c2d79f3ff16ab265ebb203f
https://doi.org/10.1063/1.3536523
https://doi.org/10.1063/1.3536523
Autor:
S. Y. Chiam, Goutam Kumar Dalapati, C. K. Maiti, C. T. Chua, Tanmoy Das, Dongzhi Chi, Chandreswar Mahata, Y. B. Cheng, M. K. Kumar, C. K. Chia, C. C. Tan, Han Gao
Publikováno v:
Electrochemical and Solid-State Letters. 14:G52
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::964ac004f4b6f6c9b9335ecc576b4977
https://doi.org/10.1149/1.3615963
https://doi.org/10.1149/1.3615963
Autor:
Z Zhang, C. K. Chia, Dongzhi Chi, Goutam Kumar Dalapati, J S Pan, Pradip K. Bose, S Y Chiam, Tanmoy Das, C. K. Maiti, Goutam Sutradhar, Chandreswar Mahata
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 25:125009
The structural, electrical and interfacial properties of metal-oxide–semiconductor (MOS) capacitors with hafnium-oxynitride (HfOxNy) gate dielectrics on p-GaAs substrates were investigated with post-deposition annealing (PDA). X-ray photoelectron s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::093978a4b77755e50df7b492eb96fc62
https://doi.org/10.1088/0268-1242/25/12/125009
https://doi.org/10.1088/0268-1242/25/12/125009
Autor:
B. Z. Wang, S. Y. Chiam, A. S. W. Wong, Dongzhi Chi, J. S. Pan, C. K. Chia, Goutam Kumar Dalapati, Han Gao, M. K. Kumar, Akash Kumar
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 157:H825
Interfacial and electrical properties of atomic-layer-deposited HfO 2 gate dielectric on epitaxial GaAs (epi-GaAs)/Ge and bulk GaAs substrates have been investigated. Atomic layer deposition provides a unique opportunity to integrate high quality gat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e870376c6d8f13f4ed7ef2f7bfd640ca
https://doi.org/10.1149/1.3453935
https://doi.org/10.1149/1.3453935
Autor:
W. K. Chim, S. Y. Chiam
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 105:079901
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::20c58920cd53625a29af3bdf3cc893ff
https://doi.org/10.1063/1.3106056
https://doi.org/10.1063/1.3106056
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.