Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"S. Wickenhäuser"'
Autor:
Hans Lüth, S. Wickenhäuser, L. Vescan, Michel Marso, J. Moers, Dirk Klaes, A. Tonnesmann, T. Grabolla, Peter Kordos
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 43:529-535
A novel vertical MOSFET concept using selective epitaxial growth by low pressure chemical vapor deposition is proposed and the first p-channel device characteristics measured are described. In contrast to other MOS technologies, the gate oxide is dep
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7c855d76213b8abcf260002c752a6920
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(98)00301-3
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(98)00301-3
Publikováno v:
Thin Solid Films. 292:213-217
Strain and misfit dislocation density in small-area Si 1− x Ge x filmsgrown by selective low-pressure chemical vapour deposition on Si (100)have been investigated as a function of lateral size by Rutherford backscattering spectrometry, ion channeli
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d5d8076ad018ce6d1ceb2d1791af20db
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(96)09086-4
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(96)09086-4
Publikováno v:
Materials Science and Technology. 11:421-424
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d60fc1625595022bdf066997abb08128
https://doi.org/10.1179/026708395790165066
https://doi.org/10.1179/026708395790165066
Autor:
L. Vescan, S. Wickenhäuser
Publikováno v:
MRS Proceedings. 533
Si1-xGex/Si heterostructures with different layer thicknesses grown by selective LPCVD epitaxy at different growth temperatures were investigated with regard to plastic relaxation. AFM and optical micrograph were performed to determine the dislocatio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f08c004c37437824deb8c666dbbcb67e
https://doi.org/10.1557/proc-533-69
https://doi.org/10.1557/proc-533-69
Autor:
Hans Lüth, Michel Marso, L. Vescan, A. Tonnesmann, S. Wickenhäuser, Dirk Klaes, J. Moers, Peter Kordos
Publikováno v:
Electronics Letters. 35:239
Vertical Si p-MOSFETs with channel lengths of 100 nm were fabricated using selective low pressure chemical vapour deposition (LPCVD) epitaxial growth and conventional i-line lithography. The layout, called VOXFET, reduces gate to source/drain overlap
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1fe15d3bf9387f193f7fe7fa1da05d17
https://doi.org/10.1049/el:19990138
https://doi.org/10.1049/el:19990138
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.